[发明专利]复合基板的制造方法及复合基板

权利要求书

1.一种具备半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：

在半导体结晶层形成基板上按照牺牲层、半导体结晶层的顺序形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤；

将所述半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得作为形成于所述半导体结晶层形成基板上的层的表面的第一表面与作为所述转印目的基板或形成于所述转印目的基板上的层的表面并要与所述第一表面相接触的第二表面相面对的步骤；以及

将所述半导体结晶层形成基板及所述转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对所述牺牲层进行刻蚀，在使所述半导体结晶层保留在所述转印目的基板侧的状态下将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤；

所述转印目的基板具有非柔性基板和有机物层，所述有机物层的表面为所述第二表面。

2.一种具有半导体结晶层的复合基板的制造方法，包括：

在半导体结晶层形成基板上按照牺牲层、半导体结晶层的顺序形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤；

在所述半导体结晶层上形成由有机物构成的粘合层的步骤；

将所述半导体结晶层形成基板与转印目的基板相贴合，使得作为所述粘合层的表面的第一表面与作为所述转印目的基板或形成于所述转印目的基板上的层的表面且要与所述第一表面相接触的第二表面相面对的步骤；以及

将所述半导体结晶层形成基板及所述转印目的基板的全部或一部分浸渍于刻蚀液中对所述牺牲层进行刻蚀，在使所述半导体结晶层保留在所述转印目的基板侧的状态下将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述半导体结晶层由Ge_xSi_1-x构成，其中0<x≤1。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述半导体结晶层的厚度为0.1nm以上且不足1μm。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤之后，且在将所述半导体结晶层形成基板与所述转印目的基板相贴合的步骤之前，进一步具有至少刻蚀所述半导体结晶层，将所述半导体结晶层分割成多个分割体，使得所述牺牲层的一部分露出的步骤。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中进一步包括：

在将所述转印目的基板与所述半导体结晶层形成基板相分离的步骤之后，将所述转印目的基板与第二转印目的基板相贴合，使得所述转印目的基板的所述半导体结晶层侧与所述第二转印目的基板的表面侧相面对的步骤；

改变位于所述转印目的基板与所述半导体结晶层之间的所述有机物层的物性的步骤；以及

在使所述半导体结晶层保留在所述第二转印目的基板侧的状态下将所述转印目的基板与所述第二转印目的基板相分离的步骤。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，改变所述物性的步骤为，将贴合后的所述转印目的基板与所述第二转印目的基板浸渍于有机溶剂中，使所述有机物层发生溶胀的步骤；或者为通过热或紫外线使所述有机物层硬化的步骤。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在将所述转印目的基板与所述第二转印目的基板分离的步骤之前进一步包括对从以下物性中选择的一个以上的物性进行改变的步骤：

支配所述转印目的基板与所述半导体结晶层的粘合性的界面的物性；

位于所述半导体结晶层与所述第二转印目的基板之间的层的物性；以及

支配所述半导体结晶层与所述第二转印目的基板的粘合性的界面的物性。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在形成所述牺牲层及所述半导体结晶层的步骤之后，且在将所述半导体结晶层形成基板与所述转印目的基板相贴合的步骤之前进一步包括：将以所述半导体结晶层的一部分作为有源区域的电子器件形成于所述半导体结晶层上的步骤。

10.一种复合基板，包括：

非柔性基板；

单结晶的半导体结晶层；

位于所述非柔性基板与所述半导体结晶层之间的有机物层。

11.根据权利要求10所述的复合基板，其中，所述半导体结晶层由Ge_xSi_1-x构成，其中0<x≤1。