[发明专利]电流检测装置

权利要求书

1.一种电流检测装置，所述电流检测装置检测通过第一电流路径和第二电流路径中的每一个的电流的值，所述第一电流路径和所述第二电流路径每一个都具有弯曲部并且除所述弯曲部之外并行地延伸，所述电流检测装置包括：

被形成为所述第一电流路径中的所述弯曲部的x方向弯曲部，所述x方向弯曲部的延伸方向按照+z、+x、+z、-x和+z的顺序改变，其中，所述第一电流路径和所述第二电流路径并行延伸的方向作为x-y-z正交坐标系的z方向；

被形成为所述第二电流路径中的所述弯曲部的y方向弯曲部，所述y方向弯曲部的延伸方向按照+z、+y、+z、-y和+z的顺序改变；

y方向磁通量密度检测装置，所述y方向磁通量密度检测装置被放置在下述区域中，所述区域处于包括所述x方向弯曲部的x-z平面上并且位于在所述第一电流路径的+x方向上延伸的+x部分与在所述第一电流路径的-x方向上延伸的-x部分之间；

x方向磁通量密度检测装置，所述x方向磁通量密度检测装置被放置在下述区域中，所述区域处于包括所述y方向弯曲部的y-z平面上并且位于在所述第二电流路径的+y方向上延伸的+y部分与在所述第二电流的-y方向上延伸的-y部分路径之间；以及

磁性材料的框架，所述磁性材料的框架围绕所述x方向弯曲部和所述y方向弯曲部。

2.根据权利要求1所述的电流检测装置，其中

对应于第一中间部分的z坐标范围和对应于第二中间部分的z坐标范围中的任一个z坐标范围包括另一个z坐标范围，并且检测x方向上的磁通量密度和y方向上的磁通量密度的两分量磁通量密度检测装置被放置在被另一个z坐标区域包括的z坐标区域内，其中，在所述第一电流路径中的所述+x部分与所述-x部分之间的在+z方向上延伸的部分作为所述第一中间部分，并且其中，在第二电流路径中的所述+y部分与所述-y部分之间的在+z方向上延伸的部分作为所述第二中间部分。

3.根据权利要求2所述的电流检测装置，其中，所述两分量磁通量密度检测装置被放置在下述位置处，在所述位置处在x-y平面中连接所述两分量磁通量密度检测装置和所述第一中间部分的线段与在x-y平面中连接所述两分量磁通量密度检测装置和所述第二中间部分的线段正交地交叉。

4.根据权利要求3所述的电流检测装置，其中，所述两分量磁通量密度检测装置被放置在包括所述x方向弯曲部的x-z平面与包括所述y方向弯曲部的y-z平面交叉的线上。

5.根据权利要求4所述的电流检测装置，其中，所述第一中间部分的z坐标范围的中间值被设置成等于所述第二中间部分的z坐标范围的中间值，并且所述两分量磁通量密度检测装置被放置在中间值相等的点处。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的电流检测装置，其中，设置有与所述第一电流路径和所述第二电流路径并行延伸的第三电流路径，在y-z平面中，按照所述第一电流路径、所述第二电流路径和所述第三电流路径的顺序布置所述第一电流路径、所述第二电流路径和所述第三电流路径，并且

从所述第三电流路径到所述第一电流路径的方向是+y方向。

7.根据权利要求6所述的电流检测装置，其中，所述磁性材料的框架在y-z平面中围绕所述x方向弯曲部和所述y方向弯曲部，并且

所述第三电流路径沿着所述磁性材料的框架的外侧通过。

8.根据权利要求6所述的电流检测装置，其中，所述磁性材料的框架在x-y平面中围绕所述x方向弯曲部和所述y方向弯曲部，并且所述第三电流路径沿着所述磁性材料的框架的外侧通过。

9.根据权利要求2至8中的任一项所述的电流检测装置，其中，所述两分量磁通量密度检测装置包括被定向为检测x方向上的磁通量密度的第一霍尔元件和被定向为检测y方向上的磁通量密度的第二霍尔元件。

10.根据权利要求2至8中的任一项所述的电流检测装置，其中，所述两分量磁通量密度检测装置具有包括多个GMR元件的桥路。