[发明专利]聚合结构无效

专利信息
申请号: 201280045442.7 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN103906776A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: W.C.E.肖菲尔德;S.莫尔施;J.P.S.巴德亚尔 申请(专利权)人: 表面创新有限公司
主分类号: C08F293/00 分类号: C08F293/00;C08J7/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐晶;林森
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 聚合 结构
【权利要求书】:

1. 产生带有共价键结的聚合侧链的聚合物刷的方法,其包括以下步骤:

(a) 将含卤素的引发剂薄膜或衍生成含卤素的引发剂薄膜的前体沉积到基材上;

(b) 从在步骤(a)中形成的所述含卤素的引发剂薄膜表面ATRP生长结合侧基的聚合刷骨架;

(c) 从在步骤(b)中形成的所述聚合刷骨架生长在所述聚合刷骨架上的聚合侧链,以形成聚合物刷,其中所述聚合侧链构成所述刷的刷毛。

2. 权利要求1的方法,其中,在步骤(b)中形成的所述聚合刷骨架上的侧基包括用于聚合物生长的其他起始位点。

3. 权利要求1或2的方法,其中,在步骤(c)中,在所述聚合刷骨架上的聚合侧链的生长经由一个或多个衍生步骤发生,其中在所述聚合刷骨架上的侧基衍生化以形成用于聚合物生长的其他起始位点。

4. 前述权利要求中任一项的方法,其中所述含卤素的引发剂薄膜通过诸如乙烯基卤化苄如乙烯基氯化苄的含卤素分子的聚合形成。

5. 前述权利要求中任一项的方法,其中所述含卤素的引发剂薄膜或所述前体的沉积通过选自等离子体聚合、热化学气相沉积、引发的化学气相沉积(iCVD)、光沉积、离子辅助沉积、电子束聚合、γ-射线聚合、靶向溅射及其任何组合的技术进行。

6. 权利要求5的方法,其中所述含卤素的引发剂薄膜通过等离子体聚合沉积。

7. 前述权利要求中任一项的方法,其中,在步骤(b)中,用于表面ATRP生长所述聚合刷骨架的单体选自苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和丙烯腈。

8. 权利要求7的方法,其中所述单体包括甲基丙烯酸缩水甘油酯。

9. 前述权利要求中任一项的方法,其中,在步骤(c)中,在所述聚合刷骨架上的聚合侧链的生长为ATRP生长。

10. 权利要求3或其任何从属权利要求的方法,其中,在步骤(c)中,在所述聚合刷骨架上的侧基衍生化以形成用于所述聚合侧链的ATRP生长的ATRP起始位点。

11. 权利要求10的方法,其中在所述聚合刷骨架上的侧基例如通过与溴乙酸反应衍生化以形成卤代ATRP起始位点。

12. 前述权利要求中任一项的方法,其中,在步骤(c)中,用于生长所述聚合侧链的单体选自苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和丙烯腈。

13. 权利要求12的方法,其中所述单体包括苯乙烯磺酸钠。

14. 通过权利要求1-13中任一项的方法形成的聚合物刷。

15. 权利要求14的聚合物刷作为润滑剂的用途。

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