[发明专利]溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法无效
| 申请号： | 201280045787.2 | 申请日： | 2012-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN103814152A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 久野晃;中村祐一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/053 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 烧结 氧化镁 及其 制造 方法 | ||
1.一种溅射用烧结体氧化镁靶，其特征在于，
除C以外的纯度为99.99重量%以上，并且具有3.57g/cm3以上的密度，白度为60%以下。
2.如权利要求1所述的溅射用烧结体氧化镁靶，其特征在于，
使用在氧化镁(MgO)中添加有5重量%以上且低于30重量%的MgCO3的原料进行制造而得到。
3.如权利要求1或2所述的溅射用烧结体氧化镁靶，其特征在于，
白度为55%以上且60%以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的溅射用烧结体氧化镁靶，其特征在于，
白度的偏差为5%以内。
5.一种溅射用烧结体氧化镁靶的制造方法，其使用在氧化镁(MgO)中添加有5重量%以上且低于30重量%的MgCO3的原料，所述制造方法中，
将除C以外的纯度为99.99重量%以上且平均粒径为0.5μm以下的包含氧化镁(MgO)和MgCO3的原料粉末混合，将所得物在1500℃以下的温度、300kgf/cm2以上的压力下进行热压，得到具有99.99%以上的除C以外的纯度并且具有3.57g/cm3以上的密度的溅射用烧结体氧化镁靶。
6.权利要求1～4中任一项所述的溅射用烧结体氧化镁靶的制造方法，其使用在氧化镁(MgO)中添加有5重量%以上且低于30重量%的MgCO3的原料，所述制造方法中，
将除C以外的纯度为99.99重量%以上且平均粒径为0.5μm以下的包含氧化镁(MgO)和MgCO3的原料粉末混合，将所得物在1500℃以下的温度、300kgf/cm2以上的压力下进行热压，得到具有99.99%以上的除C以外的纯度并且具有3.57g/cm3以上的密度的溅射用烧结体氧化镁靶。
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