[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

层压结构本体，所述层压结构本体通过在底基板上按顺序层压第一导电类型的第一化合物半导体层、由化合物半导体制成的活性层以及不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层构成；

第二电极，形成在所述第二化合物半导体层上；以及

第一电极，被配置为电连接到所述第一化合物半导体层，

其中，所述第一化合物半导体层具有层压结构，所述层压结构从所述底基板开始按顺序包括第一包覆层和第一光导层，

所述层压结构本体具有脊条状结构，所述脊条状结构由所述第二化合物半导体层、所述活性层以及在所述第一光导层的厚度方向上的部分构成，以及

满足6×10^-7m<t₁以及0（m）<t₁'≤0.5·t₁，其中，所述第一光导层的厚度是t₁，以及所述第一光导层的构成所述脊条状结构的部分的厚度是t₁'。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，满足t₁≤3×10^-6m。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件发出单模光束。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，满足0.2≤LB_Y/LB_X≤1.2，其中，从所述层压结构本体的光出射端面发出的光束在所述脊条状结构的宽度方向上的尺寸是LB_X，以及所述光束在所述脊条状结构的厚度方向上的尺寸是LB_Y。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在所述层压结构本体的光出射端面中，沿所述脊条状结构的厚度方向，从所述层压结构本体中的所述活性层的中心点到从所述层压结构本体发出的光束的中心点的距离Y_CC满足t₁'≤Y_CC≤t₁。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件由半导体激光元件构成。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发光器件由半导体光学放大器构成。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，由具有比形成所述第一光导层的化合物半导体材料的折射率更高的折射率的化合物半导体材料制成的高折射率层形成在所述第一光导层中。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，满足0.01≤n_HR-n_G-1≤0.1，其中，形成所述第一光导层的化合物半导体材料的折射率是n_G-1，以及形成所述高折射率层的化合物半导体材料的折射率是n_HR。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二化合物半导体层具有层压结构，所述层压结构从所述底基板开始按顺序包括第二光导层和第二包覆层，以及

所述第一光导层的厚度大于所述第二光导层的厚度。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一化合物半导体层、所述活性层和所述第二化合物半导体层由GaN基化合物半导体制成。