[发明专利]聚硅氧烷的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及具有碳-碳不饱和键及氢化甲硅烷基的可以氢化硅烷化反应的聚硅氧烷的制造方法。

背景技术

在半导体相关制品、液晶相关制品中，为了应对高集成化、高速化、多功能化等的要求，谋求在用于配设半导体元件或液晶元件的基板上所形成的图案的微细化、多层化，在制造时将基板表面的凹凸平坦化的工序是不可缺少的。而且，作为半导体元件或液晶元件用的基板制造中的平坦化膜、层间绝缘膜，经常使用被称为“SOG(旋涂玻璃)”的、在固化后形成二氧化硅系的覆膜的涂布液。其为如下方法：通过将含有烷氧基硅烷的水解物等的涂液在基材上通过旋涂法等而涂布之后、将涂膜进行加热处理而烧掉挥发性成分，残留Si-O-Si键而形成二氧化硅系覆膜。

这样的平坦化膜、层间绝缘膜，大多在基板的制造工序中受到加热处理，因此，认为需要耐热性更高的树脂。例如，作为耐热性树脂原料，在专利文献1中提出了一种具有碳-碳不饱和键及氢化甲硅烷基的可以氢化硅烷化反应的聚硅氧烷。在该文献中，关于溶解聚硅氧烷的介质，记载有可以使用各种有机溶剂。但是，在实施例中记载有：虽然使用了甲苯及乙醇的混合溶剂作为反应溶剂，但甲苯不能单独溶解生成的聚硅氧烷。而且，关于根据反应溶剂的种类而在制造中、制造后的聚硅氧烷的保存稳定性上出现差异，既没有记载，也没有启示。

对于具有可以氢化硅烷化反应的结构的、在有机溶剂中可溶的聚硅氧烷，在专利文献2中也有记载。在该文献中，作为在使原料单体进行水解、缩聚反应的工序中可以使用的反应溶剂，记载有芳香族烃、醚类及酯类。而且，有可以与这些非极性溶剂一起并用甲醇、乙醇、2-丙醇等低级醇的记载。但是，在实施例中，用作反应溶剂的是在二甲苯中添加有2-丙醇的混合溶剂，在该文献中，关于根据反应溶剂的种类而在制造中、制造后的聚硅氧烷的稳定性上出现差异，既没有记载，也没有启示。

另一方面，在专利文献3中,公开有固化性涂布组合物，其含有具有可以氢化硅烷化反应的结构的聚硅氧烷和不具有羟基、且沸点为80℃～130℃的有机溶剂。而且，记载有：有机溶剂含有羟基的情况下，发生在保存中聚硅氧烷的分子量增大、或涂布组合物凝胶化、或在涂膜上产生涂装颗粒(paint coat particle)等不良。

如上所述，已知有在制造具有碳-碳不饱和键及氢化甲硅烷基的可以氢化硅烷化反应的聚硅氧烷的情况下，具备供于原料单体的水解、缩聚反应的工序的制造方法。而且，已知有使用各种有机溶剂作为反应溶剂，但关于根据有机溶剂的种类而防止制造中的凝胶化、在制造后的聚硅氧烷的保存稳定性上出现差异，尚未得知。另外，已知有在含有具有碳-碳不饱和键及氢化甲硅烷基的可以氢化硅烷化反应的聚硅氧烷的固化性涂布组合物含有具有羟基的有机溶剂的情况下，损害组合物的保存稳定性而引起聚硅氧烷的分子量增大、凝胶化。因此，在聚硅氧烷的制造方法中，对于防止聚硅氧烷的凝胶化、分子量增大而有效地制造品质一致的制品的课题，选择反应溶剂的方法尚未得知，另外，已知有假设即使进行选择，作为组合物中所含的溶剂，含有羟基的有机溶剂也不优选，因此，对于上述的课题，使用含有羟基的有机溶剂可以具有阻碍理由。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:WO2005/010077国际公开小册子

专利文献2:WO2009/066608国际公开小册子

专利文献3:日本特开2011-52170号公报

发明内容

发明要解决的课题

如上所述，具有碳-碳不饱和键及氢化甲硅烷基的可以氢化硅烷化反应的聚硅氧烷已经得到广泛使用，需要有效地制造品质稳定了的制品。本发明的目的在于，提供抑制制造中的凝胶化、制造后的聚硅氧烷的分子量增大、凝胶化等的聚硅氧烷的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明人等发现：为了制造由下述通式(1)表示的、具有碳-碳不饱和键及氢化甲硅烷基的可以氢化硅烷化反应的聚硅氧烷，作为使特定的原料单体进行水解、缩聚反应的反应溶剂，通过含有作为极性溶剂的、选自碳原子数4～6的仲醇及碳原子数4～6的叔醇中的至少1种(以下，称为“本发明所述的醇”)，不仅可以防止反应中的凝胶化，而且，在制造后的保存稳定性试验中，不易产生聚硅氧烷的高分子量成分的增大、凝胶化。