[发明专利]新颖的含锰纳米结构

权利要求书

1.一种纳米结构，包含了并入一个聚合物框架中的锰离子，该聚合物框架包含至少五个孪位双膦酸酯基，其中这些孪位双膦酸酯基彼此独立地呈以下形式并入

-R³R⁴C(P=O(OR¹)(OR²))₂

其中：

R¹和R²独立地选自下组，该组由一个负电荷、H、烷基及芳基组成，并且

R³和R⁴中至少一个是连接到该聚合物框架，或形成该聚合物框架的一部分的一个基团，其条件是，当R³和R⁴中仅一个是此类连接的基团时，R³和R⁴中的另一个是一个能够连接到该聚合物框架的基团，或此类基团的残基，或选自由H、OH、OR⁵及R⁵组成的组，其中R⁵是一个低级烷基。

2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中连接到该聚合物框架的该基团，和/或该能够连接到该聚合物框架的基团或此类基团的残基是选自下组，该组由以下各项组成：

(CH₂)_nSi(R^x)₃，其中R^x独立地为一个低级烷基、OH、O^-或O-，-表示连到该聚合物框架的一个键，并且n是1-5，

(CH₂)_nCOR^y，其中R^y是O-、NH₂、NHR^z、NR^z₂，或连到该聚合物框架的一个键，R^z是一个低级烷基并且n是1-5，并且-表示连到该聚合物框架的一个键，及

(CH₂)_nSO₂R^y，其中R^y是O-、NH₂、NHR^z、NR^z₂，或连到该聚合物框架的一个键，R^z是一个低级烷基并且n是1-5，并且-表示连到该聚合物框架的一个键。

3.根据权利要求1或2所述的纳米结构，该纳米结构包含硅原子。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米结构，其中R³和/或R⁴是选自下组，该组由-(CH₂)_n-Si(R^x)₃组成，其中R^x独立地为一个低级烷基、OH、O^-或O-，-表示连到该聚合物框架的一个键，并且n是1-5。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米结构，其中这些纳米结构的流体动力学直径是3-7nm。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米结构，其中这些纳米结构的流体动力学直径是10-20nm。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的纳米结构，其中该聚合物框架包含了含一个孪位双膦酸酯基和两个有机氧基硅烷基团的单体残基。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的纳米结构，其中该聚合物框架是衍生自聚乙烯亚胺。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的纳米结构，其中P/Mn摩尔比是7-20。

10.根据权利要求3或当从属于权利要求3时根据权利要求4至7或9中任一项所述的纳米结构，其中Si/Mn摩尔比是5-20。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构另外包含了附接到外部部分的亲水性基团。

12.根据权利要求11所述的纳米结构，其中这些亲水性基团包含-(CH₂CH₂O)_nCH₃部分，其中n=4-50。