[发明专利]制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底

权利要求书

1.一种制造碳化硅衬底的方法，包括：

准备由单晶碳化硅构成并具有2英寸以上的直径的锭(1)的步骤；

通过对所述锭(1)进行切片而得到衬底(10)的步骤；以及

对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤，

在所述得到衬底(10)的步骤中，以使得在其中在{0001}面上的正交投影中相对于<11-20>方向或<1-100>方向形成的角为15±5°的方向上进行切割的方式对所述锭(1)进行切片，且

在所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤中，在所述衬底(10)的至少一个主表面(10A、10B)的整个表面与研磨表面(30A、40A)接触的同时，对所述衬底(10)的所述至少一个主表面(10A、10B)进行研磨。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中

在所述得到衬底(10)的步骤中，以使得相对于所述至少一个主表面(10A、10B)的{0001}面的偏离角为50°以上且80°以下的方式对所述锭(1)进行切片。

3.根据权利要求1或2所述的制造碳化硅衬底的方法，其中

在所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤中，在所述衬底(10)的相反主表面(10A、10B)的整个表面与所述研磨表面(30A、40A)接触的同时对所述衬底(10)的相反主表面(10A、10B)进行研磨。

4.根据权利要求3所述的制造碳化硅衬底的方法，其中

所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤包括：

以使得所述衬底(10)的所述相反主表面(10A、10B)的整个表面与所述研磨表面(30A、40A)接触的方式对所述衬底(10)进行校正的步骤；以及

对经校正的所述衬底(10)的所述相反主表面(10A、10B)进行研磨的步骤，且

在所述对经校正的所述衬底(10)的所述相反主表面(10A、10B)进行研磨的步骤中，在供给比所述对所述衬底(10)进行校正的步骤中更大量的松散磨粒的同时对所述相反主表面(10A、10B)进行研磨。

5.根据权利要求1或2所述的制造碳化硅衬底的方法，其中

在所述对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤中，对与所述衬底(10)的一个主表面(10A)不同的另一个主表面(10B)进行固定以与保持构件(20)的平坦表面(20A)接触，并在所述衬底(10)的所述一个主表面(10A)的整个表面与所述研磨表面(30A)接触的同时对所述衬底(10)的所述一个主表面(10A)进行研磨。

6.根据权利要求5所述的制造碳化硅衬底的方法，还包括在对所述衬底(10)的表面进行研磨的步骤之前对所述衬底(10)的固定状态进行检查的步骤。

7.一种碳化硅衬底(10)，具有

2英寸以上的直径，

在中央区域(A)中SORI为30μm以下，所述中央区域为从至少一个主表面(10A、10B)的中心延伸至多1英寸的区域，且

在所述中央区域(A)中X射线衍射的峰位置的变化为0.3°以下。

8.根据权利要求7所述的碳化硅衬底(10)，其中

在除了从外周延伸2mm的区域之外的区域(B)中X射线衍射的峰位置的所述变化为0.3°以下。