[发明专利]通过化学气相沉积生产硅的反应器和方法

权利要求书

1.一种通过化学气相沉积（CVD）制造硅的反应器，所述反应器包括：反应器主体，其能够在可操作地布置于所述反应器的旋转设备的帮助下围绕轴线旋转；至少一个侧壁，其围绕所述反应器主体；反应气体的至少一个入口；残余气体的至少一个出口；和至少一个加热器具，其可操作地布置于所述反应器，其特征在于，在通过CVD制造硅的操作过程中，所述反应器包括在至少一个侧壁的内部上的颗粒层。

2.根据权利要求1所述的反应器，其特征在于，所述颗粒层包括最小程度可能地污染所生产的硅的材料，硅颗粒优选地具有冶金品质或是更纯的，最优选地，硅具有与被化学气相沉积的硅相同的纯度。

3.根据权利要求1或2所述的反应器，其特征在于，所述颗粒层至少穿过厚度的一部分，包括基本上圆形的颗粒。

4.根据权利要求1-3所述的反应器，其特征在于，所述反应器被成形为管段，所述管段围绕其自身的轴线旋转。

5.根据权利要求1-4所述的反应器，其特征在于，所述反应器形成为直立的、锥形的管段，所述直立的、锥形的管段能够围绕纵向轴线旋转，在上部末端具有圆形的内横截面和最大的直径。

6.根据权利要求1-5所述的反应器，其特征在于，所述反应器形成有外部颗粒层，所述外部颗粒层被固定到所述反应器的所述侧壁。

7.根据权利要求1-6所述的反应器，其特征在于，所述反应器在同一端包括出口和至少一个入口，所述入口或多个入口被同心地布置在所述出口的外部。

8.根据权利要求1-7所述的反应器，其特征在于，所述反应器包括硅粉的颗粒层，所述硅粉的颗粒层通过在开始所述化学气相沉积之前操作容纳用于化学气相沉积的反应气体的所述反应器而形成。

9.一种通过化学气相沉积（CVD）制造硅的方法，优选地通过使用根据权利要求1-8所述的反应器来制造硅，其特征在于，在所述反应器中由反应气体生产颗粒层或者输入颗粒以在所述反应器的内壁表面上形成内部颗粒层、输入用于化学气相沉积的反应气体、通过化学气相沉积在所述颗粒层上生产硅、使生产的硅从所述颗粒层松动并且将硅取出，并且在通过重复所述方法的各步骤继续硅的生产之前进行所述反应器的内表面的任何准备。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述反应器在进行所述方法的步骤的过程中被保持温热并且保持旋转直至化学气相沉积的步骤。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，硅粉的颗粒层在开始所述化学气相沉积之前，在操作容纳用于化学气相沉积的反应气体的所述反应器的过程中，通过控制所述反应气体的浓度和压力、所述反应器的温度和旋转速度而形成，以便基本上仅仅形成无定形的和/或结晶的硅粉，所述反应气体优选为硅烷。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的反应器的应用，用于通过化学气相沉积（CVD）制造硅。

13.在用于硅的化学气相沉积（CVD）的反应器中的反应器内壁上的松动的或容易分解的颗粒层的应用，以简化从所述反应器移除所生产的硅。