[发明专利]静电吸盘有效
申请号: | 201280046774.7 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103907181B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 和田琢真;穴田和辉 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23Q3/15;H02N13/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;浦柏明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
技术领域
本发明的方面涉及静电吸盘,具体而言,涉及一种能够确实地确保将陶瓷电介体基板的电极向外部取出的取出结构的静电吸盘。
背景技术
通过在氧化铝等陶瓷基体材料之间夹入电极并进行烧成处理来制作的陶瓷制的静电吸盘如下:在内置的电极上施加静电吸附用电力,通过静电力来吸附硅片等基板。在这样的静电吸盘中,为了向内部电极供给静电吸附用电力,对与电极接通的导体的一部分从陶瓷基体材料的静电吸附面的相反侧的面露出的静电吸盘和在电极上接合有电力供给用连接器的静电吸附盘等进行了实用化。
在专利文献1公开了一种在静电吸盘中形成有与内部电极接通的连接部(通孔)的结构。在专利文献1中记载的静电吸盘中,在陶瓷的印制电路基板上依次层叠导电层和绝缘膜来形成层叠体并烧成层叠体,由此构成与导电层(电极)接通的通孔。
但是,若减小连接部(通孔)的外径,则在烧成陶瓷时容易受到烧成收缩的影响,在陶瓷基体材料内部电极与连接部(通孔)之间容易发生金属材料的剥离。另外,有时由于金属材料的表面张力而在烧成陶瓷时连接构件的材料即金属在陶瓷基体材料内移动从而形成空洞,或者由于陶瓷与金属之间的热膨胀差而导致电极破裂。尤其是,将连接构件的外径设为微细时这种问题变得显著,产生招致静电吸盘的可靠性下降的问题。
专利文献1:日本特开昭62-264638号公报
发明内容
本发明是基于所涉及的课题的认知而进行的,目的在于提供一种静电吸盘,其能够通过内部电极与连接部之间的确实的接通来得到较高的可靠性。
根据本发明的一方式,提供一种静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板,具有放置被吸附物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面;电极,设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间;以及连接部,在所述陶瓷电介体基板的比所述电极更靠所述第2主面侧与所述电极连接,且具有与所述电极接触的第1区域,其中,在将从所述第1主面朝向所述第2主面的方向作为第1方向,将与所述第1方向正交的方向作为第2方向时,所述第1区域在所述电极及所述连接部的所述第2方向上观察的截面上,沿所述电极的所述第2主面侧外形的延长线与所述连接部外形的切线所形成的角度当中所述连接部侧的角度在所述第1方向上逐渐增大。
附图说明
图1是例示本实施方式所涉及的静电吸盘的结构的模式剖视图;
图2是图1所示的A部的模式放大剖视图;
图3是说明参考例的模式剖视图;
图4是说明角度θ的定义的一例的模式图;
图5是例示连接部的其他连接结构的模式剖视图;
图6是例示其他连接结构的模式剖视图;
图7(a)及图7(b)是例示其他连接结构的模式图;
图8(a)及图8(b)是表示连接部与电极的接合状态及接通状态的实验结果的图;
图9(a)及图9(b)是例示其他连接结构的模式剖视图;
图10(a)及图10(b)是例示其他连接结构的模式剖视图;
图11(a)及图11(b)是例示其他连接结构的模式剖视图;
图12(a)~图12(c)是例示静电吸盘的制造方法的模式剖视图;
图13是表示连接部的一例的图;
图14(a)及图14(b)是表示连接部的纵横比与接通特性的关系的图。
具体实施方式
第1发明为如下静电吸盘,具备:陶瓷电介体基板,具有放置被吸附物的第1主面和所述第1主面相反侧的第2主面;电极,设置在所述陶瓷电介体基板的所述第1主面与所述第2主面之间;以及连接部,在所述陶瓷电介体基板的比所述电极更靠所述第2主面侧与所述电极连接,且具有与所述电极接触的第1区域,其中,在将从所述第1主面朝向所述第2主面的方向作为第1方向,将与所述第1方向正交的方向作为第2方向时,所述第1区域在所述电极及所述连接部的所述第2方向上观察的截面上,沿所述电极的所述第2主面侧外形的延长线与所述连接部外形的切线所形成的角度当中所述连接部侧的角度在所述第1方向上逐渐增大。
根据该静电吸盘,沿电极的第2主面侧外形的延长线与连接部外形的切线所形成的角度当中连接部侧的角度在从第1主面朝向第2主面的第1方向上逐渐增大,因此与连接部的直径在第1方向上固定的情况相比,能够扩大电极与连接部的接触面积来确保确实的接通,同时提高连接部与陶瓷电介体基板的粘结性。另外,在第2方向上观察的截面上,连接部的外形呈曲线状,因此可以抑制外加电压时产生易成为放电起点的角部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造