[发明专利]确定补偿硅样品的掺杂剂含量有效
| 申请号： | 201280046818.6 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103827661A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | S.杜博依斯;N.恩杰尔伯特;J.维尔曼 | 申请（专利权）人： | 原子能和代替能源委员会 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 确定 补偿 样品 掺杂 含量 | ||
1.用于确定硅样品中的掺杂剂杂质的浓度(NA，ND)的方法，包括以下步骤：
-提供包括给体类型的掺杂剂杂质、硼原子和氧原子的硅锭；
-确定(F1)其中发生在第一导电性类型和相反的第二导电性类型之间的转变的该锭的第一区域的位置(heq)；
-通过监测载流子的寿命(τ)在照射下的变化而测量(F2)在p型的且与所述第一区域不同的该锭的第二区域中的自由载流子浓度(q)；和
-由该锭的所述第一区域的位置(heq)和所述第二区域中的自由载流子浓度(q)确定(F3)该样品中的掺杂剂杂质的浓度。
2.根据权利要求1的方法，包括通过照射所述硅锭而引起的硼-氧络合物的活化步骤。
3.用于确定硅样品中的掺杂剂杂质的浓度(NA，ND)的方法，包括以下步骤：
-提供包括给体类型的掺杂剂杂质和受体类型的掺杂剂杂质的硅锭；
-确定(F1)其中发生在第一导电性类型和相反的第二导电性类型之间的转变的该锭的第一区域的位置(heq)；
-通过霍尔效应或者通过傅立叶变换红外光谱法测量(F2)与所述第一区域不同的该锭的第二区域中的自由载流子浓度(q)；和
-由该锭的所述第一区域的位置(heq)和所述第二区域中的自由载流子浓度(q)确定(F3)该样品中的掺杂剂杂质的浓度(NA，ND)。
4.根据权利要求1-3任一项的方法，其中所述第二区域为该锭的表示凝固开始的一端。
5.根据权利要求4的方法，其中在该锭的所述端中的受体类型掺杂剂杂质的浓度NA和给体类型掺杂剂杂质的浓度ND通过以下关系式确定：
其中q0为在该锭的所述端处的自由载流子浓度，heq为该锭的所述第一区域的位置，并且kD和kA分别为给体杂质的共享系数和受体杂质的共享系数。
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