[发明专利]光电转换元件、光电化学电池及其中所使用的金属络合物色素有效

专利信息
申请号: 201280046948.X 申请日: 2012-09-26
公开(公告)号: CN103828122A 公开(公告)日: 2014-05-28
发明(设计)人: 薄达也;谷征夫;小林克 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01M14/00 分类号: H01M14/00;C09B57/10;H01L31/04
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本东京港区*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 元件 化学 电池 其中 使用 金属 络合物 色素
【权利要求书】:

1.一种光电转换元件,其是具有积层结构的光电转换元件,所述积层结构是在导电性支撑体上之侧配设具有吸附有色素的半导体微粒子的层的感光体层、电荷移动体层、相对电极的积层结构,其中:所述色素是下述式(1)所表示的金属络合物色素;

ML1m1L2m2XmX·CI   (1)

[式(1)中,M表示金属原子;L1表示下述式(L1)所表示的配体;L2表示下述式(L2)所表示的配体;X表示单牙的配体m1及m2分别表示1;mX表示0或1;CI表示为了中和电荷而必需抗衡离子的情况下的抗衡离子]

[化1]

[式(L1)中,Za、Zb及Zc分别独立地表示为了形成5元环或6元环所必需的非金属原子群组;其中,Za、Zb及Zc所形成的环中的至少1个具有酸性基]

[化2]

[式(L2)中,环B表示5元环以上的含氮芳香环;环A及环C分别独立地表示下述式(L2-1)~式(L2-11)的任意环;a表示0或1;V表示哈米特规则的σp值为正的取代基;其中,环A及环C的任意环为下述式(L2-2)时,其至少1个所具有的取代基V的哈米特规则的σp不足0.54;n表示1以上的整数;在n为2以上时,所述σp值以n个V的σp值的和进行评价]

[化3]

[式中,V、n与式(L2)中的V、n同义;此处,*表示结合键;R表示取代基,m表示0以上的整数]。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中:

所述L1以下述式(L1-1)而表示;

[化4]

[式中,A1~A3分别独立地表示酸性基;R1~R3分别独立地表示取代基;b1~b3及c1~c3分别独立地表示0以上的整数;其中,c1~c3并不均为0]。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件,其中:

所述环B是下述式(L2-21)或式(L2-22);

[化5]

[式中,Rx表示取代基;Ry表示氢原子、烷基、芳基或杂环基;da表示0~5的整数;La表示共轭链;db表示0~2的整数;dc表示0~4的整数;此处,*表示结合键]。

4.根据权利要求3所述的光电转换元件,其中:

所述Ry是杂环基。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换元件,其中:

所述环A及环C是所述式(L2-2)~式(L2-6)及式(L2-9)的任意环。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电转换元件,其中:

所述V中的至少1个包含杂环基。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电转换元件,其中:

所述Za、Zb及Zc的至少1个所具有的酸性基是羧基。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的光电转换元件,其中:

所述M所表示的金属原子是钌原子。

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