[发明专利]具有可移动的栅的微机械的传感器装置和相应的制造方法

权利要求书

1.具有可移动的栅的微机械的传感器装置，其包括:

具有可移动的栅(7)的场效应晶体管(2)，所述可移动的栅通过空腔(11)与信道区(K)分开；

其中，所述信道区(K)用栅隔离层(3)覆盖。

2.根据权利要求1所述的微机械的传感器装置，其中，所述可移动的栅(7)与所述信道区(K)面对的一侧用电介质隔离层(6)覆盖。

3.根据权利要求1或2所述的微机械的传感器装置，其中，所述可移动的栅(7)用多晶硅制造。

4.根据前述权利要求中任一项所述的微机械的传感器装置，其中，所述可移动的栅(7)经由至少一个接触插塞(8)与位于其上方的导体电路(9)连接。

5.根据前述权利要求中任一项所述的微机械的传感器装置，其中，所述场效应晶体管(2)具有集成在硅衬底(1)中的源/漏区。

6.用于制造具有可移动的栅的微机械的传感器装置的方法，包括步骤:

在半导体衬底(1)里面或上面形成信道区(K)和源/漏区；

在所述信道区(K)上面形成栅隔离层(3)；

在所述栅隔离层(3)上面形成牺牲层(5)，它可以相对于所述栅隔离层(3)选择地进行蚀刻；

在所述牺牲层(5)上面形成栅(7)；

在栅电极(7)上面形成电介质隔离层(4)；

在所述电介质隔离层(4)中形成通向所述牺牲层(5)的通道孔(10)；

通过所述通道孔(10)对所述牺牲层(5)进行牺牲层蚀刻，以形成具有可移动的栅(7)的场效应晶体管(2)，所述可移动的栅通过空腔(11)与所述信道区(K)分开，其中，所述信道区(K)被所述栅隔离层(3)保持覆盖。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述牺牲层(5)和所述栅(7)之间形成电介质层(6)，所述电介质层在牺牲层蚀刻期间留在所述栅(7)下面。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述牺牲层蚀刻借助于SF₆或XeF₂或CIF₃在气相中进行。

9.根据权利要求6，7或8所述的方法，其中，所述牺牲层由多晶硅或由硅/锗或由锗制造。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，所述牺牲层蚀刻通过一种无等离子体的方法来进行。