[发明专利]用于借助霍尔传感器的相对位置非接触式测量的方法

权利要求书

1.用于彼此相关的产生磁场的磁场源和磁场传感器的相对位置的非接触式测量的方法，

所述磁场源和磁场传感器相对于彼此可移动，

所述磁场传感器检测所述磁场的至少两个空间分量以及从测得的分量产生的位置信号，并且所述方法包括下列的步骤：

基于两个磁场分量的商计算位置信号，

在计算商值之前校正沿磁场源和磁场传感器之间的运动方向延伸的磁场分量。

2.根据权利要求1所述的方法，相对的直线运动提供于磁场源和磁场传感器之间，并且所述方法包括：

确定对于沿所述相对运动方向延伸的磁场分量的至少第一测量值；

确定对于横向于所述相对运动方向延伸磁场分量的至少第二测量值；

由经校正项校正的第一测量值和第二测量值的商计算位置信号。

3.根据权利要求1或2所述的方法，所述磁场传感器包括二维或三维霍尔传感器。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述磁场源包括至少一个永磁体。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述经校正的磁场分量是通过添加常量偏移值至测得的磁场分量而计算得到的。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，所述经校正的磁场分量是通过在所述永磁体产生的磁场之上叠加辅助磁体产生的辅助磁场形成。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，必要校正的值由下列步骤确立：

依据位置值建立运动方向上的磁场分量的线；根据所述位置值计算所述线的二阶导数并且确定二阶导数的0点位置；

从在最小间距的位置处的函数值减去所述线在0点位置处的函数值以计算用于校正的偏移值。

8.用于彼此相关的产生磁场的磁场源(102)和磁场传感器(100)的相对位置的非接触式测量的位移传感器，

所述磁场源(102)和磁场传感器(100)相对于彼此可移动，

所述磁场传感器(100)构造为使得其检测所述磁场的至少两个空间分量(Bz，By)并基于来自测得的分量的两个磁场分量的商产生位置信号；

所述位移传感器进一步地具有校正单元，所述校正单元在计算商值之前校正沿所述磁场源(102)和磁场传感器(100)之间的运动方向(z)延伸的磁场分量的值。

9.根据权利要求8所述的位移传感器，所述校正单元包括用于计算地添加常量校正因子(OS)的计算单元。

10.根据权利要求8或9所述的位移传感器，所述校正单元包括至少一个辅助磁体(114)，其磁场被叠加至所述磁场源(102)的磁场上，使得沿所述磁场源和磁场传感器之间的运动方向延伸的磁场分量由常量校正因子校正。

11.根据权利要求10所述的位移传感器，所述至少一个辅助磁体(114)被设置为相对于所述磁场传感器(100)被固定在位。

12.根据权利要求11所述的位移传感器，所述至少一个辅助磁体与磁场传感器(100)被安装于共同的电路载体上(116)。

13.根据权利要求8到12中任一项所述的位移传感器，所述磁场传感器(100)包括二维或者三维的霍尔传感器。

14.根据权利要求8到13中任一项所述的位移传感器，所述磁场源(102)包括至少一个永磁体。

15.根据权利要求8到13中任一项所述的位移传感器，所述磁场源(102)产生磁场，所述磁场相对于由所述磁场源和磁场传感器之间的相对直线运动限定的轴旋转对称。