[发明专利]具有降低的边缘曲率特征的集成电路器件的制造方法

权利要求书

1.一种用于制造结构的方法，所述方法包括：

形成叠置在晶相材料层之上的掩膜元件，所述掩膜元件具有第一侧壁表面；

使用所述掩膜元件作为刻蚀掩膜来刻蚀所述层，由此在由所述第一侧壁表面限定的位置处在所述层中形成第二侧壁表面；以及

处理所述刻蚀层以使所述第二侧壁表面变直。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述变直的第二侧壁表面沿着与所述层的晶格的特定晶面平行的表面延伸，并且所述处理包括执行外延工艺以在所述第二侧壁表面上生长晶相材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述特定晶面具有比所述晶格的一个或多个其它面低的外延生长速率。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述特定晶面具有比所述晶格的所有其它面低的外延生长速率。

5.根据权利要求2所述的方法，其中至少在所述掩膜元件下方，所述层具有金刚石立方晶体结构，并且所述特定晶面为所述金刚石立方晶体结构的{111}面。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述生长的晶相材料是与晶相材料的所述层的材料相同的材料。

7.根据权利要求2所述的方法，其中所述生长的晶相材料是与晶相材料的所述层的材料不同的材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述变直的第二侧壁表面沿着与所述层的晶格的特定晶面平行的表面延伸，并且所述处理包括执行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺对所述特定面的刻蚀速率比对所述晶格的一个或多个其它面的刻蚀速率低。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述刻蚀工艺对所述特定晶面的刻蚀速率比对所述晶格的所有其它面的刻蚀速率低。

10.根据权利要求9所述的方法，其中至少在所述掩膜元件下方，所述层具有金刚石立方晶体结构，并且所述特定晶面为所述金刚石立方晶体结构的{111}面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一侧壁表面具有第一线边缘粗糙度，并且所述变直的第二侧壁表面具有比所述第一线边缘粗糙度低的第二线边缘粗糙度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一线边缘粗糙度大于4nm，并且所述第二线边缘粗糙度低于或等于1nm。

13.根据权利要求1所述的方法，其中至少在所述掩膜元件下方，所述层具有金刚石立方晶体结构。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述变直的第二侧壁表面沿着与所述金刚石立方晶体结构的{111}面平行的表面延伸。

15.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述掩膜元件具有第三侧壁表面；

使用所述掩膜元件刻蚀所述层，进一步在由所述第三侧壁表面限定的位置处在所述层中形成第四侧壁表面；以及

所述刻蚀层的处理进一步使所述第四侧壁表面变直。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二侧壁表面和所述第四侧壁表面限定晶相材料线的相对侧。

17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述处理之后，所述晶相材料线在所述第二侧壁表面与所述第四侧壁表面之间具有比所述处理之前低的线宽度粗糙度。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述晶相材料线在所述第二侧壁表面与所述第四侧壁表面之间具有低于或等于1.5nm的线宽度粗糙度。

19.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述掩膜元件包括执行光刻工艺。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述变直的第二侧壁表面沿着与所述层的晶格的特定晶面平行的表面延伸，并且处理所述刻蚀层以使所述第二侧壁表面变直包括：

执行刻蚀工艺和外延工艺中的一个工艺，以使所述第二侧壁表面至少部分变直；以及

对所述至少部分变直的第二侧壁表面执行所述刻蚀工艺和所述外延工艺中的另一个工艺，由此使所述第二侧壁表面变直。

21.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用所述变直的第二侧壁表面作为刻蚀掩膜来刻蚀下置在所述层之下的第二层，由此在由所述层中的所述变直的第二侧壁表面限定的位置处在所述第二层中形成第三侧壁表面。

22.一种用于制造结构的方法，所述方法包括：

形成叠置在材料层之上的掩膜元件，所述掩膜元件具有第一侧壁表面，并且其中所述材料层当经受特定工艺时具有各向异性的特性；

使用所述掩膜元件作为刻蚀掩膜来刻蚀所述层，由此在由所述第一侧壁表面限定的位置处在所述层中形成第二侧壁表面；以及

使所述刻蚀层经受所述特定工艺，以使所述第二侧壁表面变直。