[发明专利]静电夹具在审
申请号: | 201280047894.9 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103843128A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 维贾伊·D·帕克赫;史蒂芬·V·桑索尼;振雄·马修·蔡 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 夹具 | ||
技术领域
本发明的实施方式大体涉及用于支撑基板的静电夹具。
背景技术
静电夹具可被用来固定基板至基板支撑件,所述基板将被处理。静电夹具的元件可包括电极与沟槽(groove),电极固定基板,沟槽设置在静电夹具的表面中以提供背侧气体(back side gas)至基板背侧表面。
典型的静电夹具可包括提供强夹持(chucking)力的电极,但在卸夹持时无法为部分夹持提供控制。另外,这些电极能从一端到另一端产生不均匀的夹持力。此外,在一些具有沟槽的静电夹具中,在基板的中心与边缘的降温速率可能是不适当的。此外,可在基板下方的气体沟槽中看到电弧放电。静电夹具的这些元件可影响基板的处理。因此,本文提供改进的静电夹具设计。
发明内容
在此提供静电夹具的实施方式。在一些实施方式中,用于固定基板的静电夹具包括:底板(base plate);陶瓷板,陶瓷板由底板支撑,陶瓷板具有基板支撑表面;多个第一电极,所述多个第一电极设置于陶瓷板内,所述多个第一电极具有第一极性;以及多个第二电极,所述多个第二电极设置于陶瓷板内,所述多个第二电极具有与第一极性相反的第二极性,其中所述多个第一与第二电极是独立可控的,以提供所期望的夹持功率与频率。。
在一些实施方式中,一种静电夹具包括:底板;陶瓷板,陶瓷板由底板支撑,陶瓷板具有基板支撑表面;至少一个电极,所述至少一个电极设置于陶瓷板内;以及多个沟槽,所述多个沟槽形成于陶瓷板的基板支撑表面中,其中所述多个沟槽包含一个或更多个环形沟槽、一个或更多个径向沟槽、以及一个或更多个非径向偏移沟槽(non-radial offset groove),所述一个或更多个环形沟槽围绕陶瓷板的中心轴同轴地设置,所述一个或更多个径向沟槽流体连接至所述一个或更多个同轴环形沟槽,所述一个或更多个非径向偏移沟槽流体连接至所述一个或更多个同轴环形沟槽。
在一些实施方式中,一种用于处理基板的装置包括:腔室,腔室界定处理区域;静电夹具,静电夹具用于将基板固定于处理区域中,静电夹具包含底板、陶瓷板、多个电极、多个沟槽,陶瓷板由底板支撑,陶瓷板具有基板支撑表面,多个电极设置于陶瓷板内,其中多个电极的每一电极都是单独可控的,多个沟槽形成于陶瓷板的基板支撑表面中,其中多个沟槽包含一个或更多个环形沟槽、一个或更多个径向沟槽以及一个或更多个非径向偏移沟槽;以及多个电源,每一个电源都耦接至多个电极中的相应电极以使得每一个电极都是独立受控的。
本发明的其它和进一步的实施方式描述于下文。
附图说明
能通过参考描绘于各附图中的本发明的说明性的实施方式来理解上文简要概述的且下文更加详细论述的本发明的实施方式。然而,应注意,附图仅描绘本发明的典型实施方式,且因此附图不应被视为对本发明的范围的限制,因为本发明可允许其他等同效果的实施方式。
图1示出根据本发明的一些实施方式的基板支撑件的侧视示意图。
图2示出根据本发明的一些实施方式的静电夹具的侧视示意图。
图3示出根据本发明的一些实施方式的面对静电夹具表面的在基板中的沟槽的从上往下的示意视图。
图4A-B示出根据本发明的一些实施方式的在静电夹具中的电极的从上往下的示意视图。
为便于理解,尽可能使用相同的标记数字来表示各附图所共有的相同元件。附图未按比例绘制且可为了清楚而简化。需了解的是一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中而不需进一步详述。
具体实施方式
本文提供静电夹具的实施方式。本发明的装置可,例如,比如通过限制在基板支撑件的各元件与等离子体之间的电弧放电和/或通过可控制地调整由静电夹具向设置在所述静电夹具上的基板的区域提供的夹持功率的量来有利地提供被改良的基板处理。另外,所述静电夹具可被安装以使得所述静电夹具可以是可拆卸的和/或可更换的。在一些实施方式中,基板支撑件可在低温下使用,例如,温度范围从约-40至约250摄氏度。在一些实施方式中,基板支撑件可与直径大于约400毫米的基板一起使用。其他和进一步的优点论述于下文。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造