[发明专利]用于生产硅单晶和多晶硅锭的方法

权利要求书

1.一种用于当从容器中含有的硅熔体提拉硅单晶和定向固化多晶硅锭时增加p-型材料的量的方法，其中所述硅熔体初始含有0.12 ppma至5 ppma硼和0.04 ppma至10 ppma磷，其特征在于所述单晶的提拉和所述多晶硅锭的定向固化在低于600 mbar的压力下进行，并且将惰性气体连续供应至所述硅熔体的表面并从所述硅熔体的表面连续除去，从而在所述固化工艺期间从熔融的硅连续除去磷，导致在所述硅单晶的提拉期间和所述多晶硅锭的定向固化期间所述硅熔体中硼和磷之间的比例基本上恒定。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述工艺在低于200 mbar的压力下进行。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述工艺在低于50 mbar的压力下进行。

4.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于供应的惰性气体是氩气。

5.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于所述硅熔体的直径与所述硅熔体的深度之间的比例为至少1:1。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述硅熔体的直径与所述硅熔体的深度之间的比例为至少1.5:1。

7.根据权利要求1-5所述的方法，其特征在于在所述硅单晶的提拉期间和所述多晶硅锭的定向固化期间搅拌所述硅熔体。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述硅熔体的搅拌是通过使用排列在含有所述硅熔体的容器外面的感应线圈来进行的。