[发明专利]半导体层序列、光电子半导体芯片和用于制造半导体层序列的方法

权利要求书

1.一种用于光电子半导体芯片（10）的半导体层序列（1），其具有：

-至少三个量子阱（2），所述量子阱设计成用于产生电磁辐射并且所述量子阱沿着所述半导体层序列（1）的生长方向（G）相叠设置；

-多个势垒层（3），所述势垒层中的至少一个分别设置在两个相邻的量子阱（2）之间，

其中

-所述量子阱（2）具有第一平均铟含量并且所述势垒层具有较小的第二平均铟含量，并且

-所述势垒层（3）的第二平均晶格常数小于所述量子阱（2）的第一平均晶格常数。

2.根据上一项权利要求所述的半导体层序列（1），

所述半导体层序列基于(Al_xGa_1-x)_1-yIn_yP，其中0≤x≤1，

其中对于所述量子阱（2）适用的是：0.51≤y≤0.7

并且对于所述势垒层（3）适用的是：0.3≤y≤0.49。

3.根据上一项权利要求所述的半导体层序列（1），

其中对于所述量子阱适用的是：0.53≤y≤0.6，

并且对于所述势垒层（3）适用的是：0.4≤y≤0.47。

4.根据上述权利要求中任一项所述的半导体层序列（1），

其中对于所述势垒层（3）的厚度D3相对于相关联的所述量子阱（2）的厚度D2适用的是：0.75≤D3/D2≤7.5。

5.根据上述权利要求中任一项所述的半导体层序列（1），

其中所述量子阱（2）中的至少两个设计成用于以彼此不同的波长（λ）发射辐射。

6.根据上一项权利要求所述的半导体层序列（1），

所述半导体层序列具有设计成用于以第一波长λ1发射的第一组多个量子阱（2a），并且还具有设计成用于以第二波长λ2发射的第二组多个量子阱（2b），其中λ1<λ2以及2nm≤λ2-λ1≤15nm并且所述第一组包括比所述第二组更多数量的量子阱（2a，2b），并且其中这些组沿着所述生长方向（G）彼此跟随并且所述第一组比所述第二组更靠近所述半导体层序列（1）的n侧（n）。

7.根据上一项权利要求所述的半导体层序列（1），

其中在量子阱（2a，2b）的组中的至少一组之内，所述势垒层（3）相同地构成。

8.根据上述权利要求中任一项所述的半导体层序列（1），

其中各自位于两个相邻的量子阱（2）之间的所述势垒层（3）中的至少两个具有彼此不同的厚度和/或彼此不同的材料组成。

9.根据上一项权利要求中所述的半导体层序列（1），

其中靠近所述半导体层序列（1）的所述n侧（n）的所述势垒层（3n）与位于所述半导体层序列（1）的p侧（p）处的所述势垒层（3）相比具有更大的势垒高度。

10.根据上述权利要求中任一项所述的半导体层序列（1），

其中沿着所述生长方向（G）并且在远离所述n侧（n）的方向上，所述势垒层（3）的所述势垒高度E_B和由分别相关联的所述量子阱（2）所设计发射的波长λ的商E_B/λ单调增加。

11.根据权利要求3、4和7中至少一项所述的半导体层序列（1），

所述半导体层序列设计成以595nm和625nm之间的波长产生辐射，其中包括边界值。

12.一种光电子半导体芯片（10），其具有：

-根据上述权利要求中任一项所述的半导体层序列（1）；和

-衬底（5），在所述衬底上设置有所述半导体层序列，

其中所述势垒层（3）的所述第二平均晶格常数小于所述衬底（5）的平均衬底晶格常数并且所述量子阱（2）的所述第一平均晶格常数大于所述衬底晶格常数。