[发明专利]变速拨动触发器有效

专利信息
申请号: 201280048175.9 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN103843096A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 丹尼尔·普萨泰里;肯尼斯·C.·哈普;詹姆斯·R.·布雷姆 申请(专利权)人: 施耐宝公司
主分类号: H01H23/24 分类号: H01H23/24
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 黎艳
地址: 美国威*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 变速 拨动 触发器
【权利要求书】:

1.一种拨动开关,包括:

触发器,其能够从空档位置枢转至第一位置和第二位置;

方向和数量测量装置,其可操作地连接至所述触发器,用于对指明所述触发器的驱动量和驱动方向的触发器信号进行检测和电子通讯;以及

微处理器,其可操作地连接至所述方向和数量测量装置,并用于:

接受所述触发器信号;以及,基于所述触发器的驱动量和驱动方向,为动力传送至外部装置提供便利。

2.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,所述方向和数量测量装置包括电位计。

3.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,所述外部装置包括用于从动力源接受动力的马达。

4.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,所述向外部装置输送的动力由所述触发器的启动量决定。

5.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,进一步包括H电桥,所述H电桥具有第一、第二、第三和第四晶体管,且所述晶体管与所述外部装置和与所述微处理器之间具有开关连接。

6.根据权利要求5所述的拨动开关,其特征在于,所述第一和第二晶体管为p-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),而所述第三和第四晶体管为n-通道MOSFET,且所述微处理器进一步用于闭合所述第一和第二晶体管之一,并调节所述第三和第四晶体管之一,以向所述外部装置输送可变量的动力。

7.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,所述触发器包括第一齿轮,所述方向和数量测量装置包括与所述第一齿轮啮合的第二齿轮,所述第二齿轮用于向所述方向和数量测量装置传达所述驱动量和驱动方向。

8.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,所述微处理器包括计算机可读介质,且所述计算机可读介质用于存储指令,以令所述微处理器:

对可操作地连接在所述微处理器上的动力源进行参数监控;

确定所述参数是否处于预定的可接受范围内;以及

若所述参数超出所述预定的可接受范围,则向用户提出关于所述拨动开关的警告。

9.根据权利要求8所述的拨动开关,其特征在于,所述参数选自以下参数:所述动力源的温度、充电状态、电流和电压。

10.根据权利要求1所述的拨动开关,其特征在于,所述触发器以偏置结构偏置到所述空档位置,且所述触发器在所述空挡位置处的驱动量基本为零。

11.根据权利要求10所述的拨动开关,其特征在于,所述偏置结构包括弹簧。

12.一种拨动开关,包括:

触发器,所述触发器偏置于空档位置,且可以转动地移至第一位置和第二位置,以指示所述触发器的驱动方向和驱动量; 

电位计,所述电位计机械地连接于所述触发器,用于输出触发器信号,所述触发器信号指示所述触发器的驱动量和驱动方向;以及

微处理器,所述微处理器可操作地连接于所述电位计,用于接受所述触发器信号并输出微处理器信号,以控制马达的输出方向和输出速度。

13.根据权利要求12所述的拨动开关,其特征在于,所述输出速度基于所述触发器的驱动量。

14.根据权利要求12所述的拨动开关,其特征在于,所述第一和第二晶体管为p-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),而所述第三和第四晶体管为n-通道MOSFET;所述微处理器进一步用于闭合所述第一和第二晶体管之一,并调节所述第三和第四晶体管之一,以向所述外部装置输送可变量的动力。

15.根据权利要求12所述的拨动开关,其特征在于,进一步包括H电桥,所述H电桥具有第一、第二、第三和第四晶体管,所述晶体管与所述外部装置和与所述微处理器之间具有开关连接。

16.根据权利要求15所述的拨动开关,其特征在于,所述第一和第二晶体管为p-通道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),而所述第三和第四晶体管为n-通道MOSFET,且所述微处理器进一步用于闭合所述第一和第二晶体管之一,并调节所述第三和第四晶体管之一,以向所述外部装置输送可变量的动力。

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