[发明专利]空穴注入传输层用材料、空穴注入传输层形成用油墨、器件以及它们的制造方法

权利要求书

1.一种空穴注入传输层用材料，其为钼络合物与下述化学式(1)所示的化合物的反应产物，

化学式(1)

化学式(1)中，R¹和R²分别独立地表示可以具有取代基且可以含有杂原子的烃基；X¹和X²分别独立地表示氧原子、硫原子或直接键合键；其中，R¹和R²的碳数的总和为5以上。

2.根据权利要求1所述的空穴注入传输层用材料，其中，所述R¹和R²中的至少一方的碳数为4以上。

3.根据权利要求1或2所述的空穴注入传输层用材料，其中，所述化学式(1)所示的化合物为所述钼络合物的溶剂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的空穴注入传输层用材料，其中，所述反应产物为钼氧化物。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的空穴注入传输层用材料，其在25℃下以0.1质量％以上的量溶解于选自甲苯、二甲苯、苯甲醚及均三甲苯中的至少一种芳香族烃类溶剂。

6.一种空穴注入传输层用材料的制造方法，其具有：

对钼络合物和下述化学式(1)所示的化合物的混合物进行加热而得到反应产物的工序；和

从反应液中除去未反应的所述化学式(1)所示的化合物的工序，

化学式(1)

化学式(1)中，R¹和R²分别独立地表示可以具有取代基且可以含有杂原子的烃基；X¹和X²分别独立地表示氧原子、硫原子或直接键合键，其中，R¹和R²的碳数的总和为5以上。

7.根据权利要求6所述的空穴注入传输层用材料的制造方法，其中，所述R¹和R²中的至少一方的碳数为4以上。

8.根据权利要求6或7所述的空穴注入传输层用材料的制造方法，其中，所述化学式(1)所示的化合物为所述钼络合物的溶剂，并且在所述混合物中仅含有10.0质量％以下的除所述化学式(1)所示的化合物以外的有机溶剂。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的空穴注入传输层用材料的制造方法，其中，所述反应产物为钼氧化物。

10.一种空穴注入传输层形成用油墨，其含有权利要求1～5中任一项所述的空穴注入传输层用材料和芳香族烃类溶剂。

11.根据权利要求10所述的空穴注入传输层形成用油墨，其实质上不含有所述化学式(1)所示的化合物。

12.根据权利要求10或11所述的空穴注入传输层形成用油墨，其还含有空穴传输性化合物。

13.一种空穴注入传输层形成用油墨的制造方法，其具有将权利要求1～5中任一项所述的空穴注入传输层用材料、或利用权利要求6～9中任一项所述的空穴注入传输层用材料的制造方法得到的空穴注入传输层用材料溶解于芳香族烃类溶剂的工序。

14.一种器件，其是具有在基板上对置的2个以上的电极和在其中的2个电极之间配置的空穴注入传输层的器件，所述空穴注入传输层含有权利要求1～5中任一项所述的空穴注入传输层用材料。

15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述空穴注入传输层还含有空穴传输性化合物。

16.一种器件的制造方法，所述器件具有在基板上对置的2个以上的电极和在其中的2个电极之间配置的空穴注入传输层，该方法具有如下工序：使用权利要求10～12中任一项所述的空穴注入传输层形成用油墨、或利用权利要求13所述的空穴注入传输层形成用油墨的制造方法得到的空穴注入传输层形成用油墨，在所述电极上的任一层上形成空穴注入传输层。