[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，具有下述步骤：

-提供生长衬底(1)；

-借助于溅镀在所述生长衬底(1)上生成III族氮化物成核层(3)，其中所述生长衬底(1)的材料不同于所述成核层(3)的材料；以及

-使具有有源层(2a)的III族氮化物半导体层序列(2)生长到所述成核层(3)上，其中对所述成核层(3)添加氧并且所述成核层(3)中的氧份额沿远离所述生长衬底(1)的方向单调地减少。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在所述成核层(3)和所述生长衬底(1)之间生成牺牲层(31)，其中所述牺牲层(31)包括氧化铝并且所述牺牲层(31)在所述生长衬底(1)与所述半导体层序列(2)分离时至少部分地湿化学地分解。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中所述生长衬底(1)在从所述半导体层序列(2)剥离时在朝向所述半导体层序列(2)的侧上不被损坏。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中所述成核层(3)具有在10nm和1000nm之间且包含边界值的厚度，其中所述成核层(3)基于AlN并且直接施加到所述生长衬底(1)上。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中所述成核层(3)具有在50nm和200nm之间且包含边界值的厚度。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，

其中将载体衬底(11)安置到所述半导体层序列(2)的背离所述生长衬底(1)的侧上，并且随后借助于激光剥离法去除所述生长衬底(1)。

7.根据权利要求5所述的方法，

其中所述生长衬底(1)和所述成核层(3)对于在剥离法中所使用的激光辐射是能穿透的，

其中通过所述激光辐射在所述成核层(3)和所述半导体层序列(2)和/或生长层(8)之间的边界层上进行材料分解。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，

其中氧的重量份额在0.1％和10％之间，其中包含边界值。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中所述成核层(3)中的氧份额沿远离所述生长衬底(1)的方向严格单调地减少。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，

其中借助于溅镀或借助于气相外延直接在所述成核层(3)上施加所述生长层(8)，

其中所述生长层(8)基于GaN。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，

其中直接彼此相继地并且以给出的顺序在所述生长层(8)上产生下述层：

-掩膜层(6)，基于氮化硅、氧化硅或氧化镁，其中所述掩膜层(6)以在50％和90％之间且包含边界值的覆盖度覆盖所述生长层(8)，

-聚结层(7)，基于GaN，

-由AlGaN构成的一个或多个中间层(9)，其中在多个中间层(9)的情况下在两个相邻的中间层(9)之间各生长一个GaN层，和

-所述半导体层序列(2a，2b，2c)，基于AlInGaN或基于InGaN。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，

其中在550℃和900℃之间且包含边界值的温度下并且在1×10^-3mbar和1×10^-2mbar之间且包含边界值的压强下执行溅镀。

13.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，

其中在溅镀时将生长率设定为在0.03nm/s和0.5nm/s之间，其中包含边界值，其中在具有Ar和N₂的环境下执行溅镀并且Ar与N₂的比例为1比2，具有至多15％的公差。

14.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，

其中在溅镀沉积设备(A)中生成所述成核层(3)，并且在与所述溅镀沉积设备不同的气相外延反应器(B)中生长所述半导体层序列(2)，

其中所述溅镀沉积设备(A)不具有镓。

15.根据权利要求1所述的方法，其中具有在10nm和30nm之间且包含边界值的厚度的薄层中的最高的氧浓度直接存在于所述生长衬底(1)上。