[发明专利]具有凹凸图案的基底、包括该基底的发光二极管以及制造该二极管的方法

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

基底；

凹凸图案，包括具有切面的凸部和被凸部限定的凹部，并设置在基底的上表面中，其中，切面为晶面；以及

单元发光器件，具有顺序地设置在基底上的第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，凹凸图案的每个凸部具有为晶面的多个切面和由彼此接触的至少一些切面形成的一个上顶点。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，切面包括为第一晶面的下切面和为第二晶面的上切面，

上顶点由彼此接触的第二晶面形成。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，第二晶面的相对于基底表面的倾角小于第一晶面的相对于基底表面的倾角。

5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，凸部具有条形或岛状形状。

6.如权利要求5所述的发光二极管，当凸部具有岛状形状时，凸部的底表面呈三角类形状，其中，三角类形状的每条线段是向外部凸出的曲线。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，凹凸图案的每个凸部具有为晶面的切面和平坦的上表面。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中，设置在基底的部分区域中的凹凸图案在凹凸图案的表面中具有坑。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，发光二极管具有被至少一个分隔槽分隔的多个单元发光器件，并且

表面中具有坑的凹凸图案设置在分隔槽中。

10.如权利要求9所述的发光二极管，所述发光二极管还包括：

分离绝缘层，设置在分隔槽中；以及

互连件，位于分离绝缘层上，并被构造成电连接一对相邻的单元发光器件。

11.如权利要求8或权利要求9所述的发光二极管，其中，每个单元发光器件还包括在单元发光器件的上表面中暴露第一导电半导体层的台面蚀刻区域，并且

在表面中具有坑的凹凸图案设置在与台面蚀刻区域相对应的区域中。

12.一种用于发光二极管的基底，在基底中，具有凸部和被凸部限定的凹部的凹凸图案设置在基底的上表面中，其中，凸部具有为晶面的切面。

13.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括：

在基底上形成蚀刻掩模图案；

利用蚀刻掩模图案作为掩模，通过湿法蚀刻基底在基底的表面中形成具有凸部和被凸部限定的凹部的凹凸图案；以及

在凹凸图案形成在其上的基底上形成具有第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层的堆叠体。

14.如权利要求13所述的方法，其中，凹凸图案的形成还包括在湿法蚀刻基底之前或之后利用蚀刻掩模图案作为掩模来干法蚀刻基底。

15.如权利要求13所述的方法，其中，所述湿法蚀刻是第一湿法蚀刻，

每个凸部具有上表面和为晶面的多个切面，并且

所述方法还包括：

在第一湿法蚀刻基底之后，通过去除蚀刻掩模图案暴露凸部的上表面；以及

通过对其中上表面的凸部被暴露的基底进行第二湿法蚀刻来使每个凸部改变成具有由彼此接触的至少一些切面形成的一个上顶点。

16.如权利要求13所述的方法，其中，在湿法蚀刻工艺中，通过在蚀刻掩模图案下方渗透的蚀刻溶液，每个凸部形成为具有为晶面的多个切面和由彼此接触的至少一些切面形成的一个上顶点。

17.如权利要求16所述的方法，其中，蚀刻掩模图案的宽度为0.2μm至1μm。

18.如权利要求15或16所述的方法，其中，每个凸部具有为第一晶面的下切面、为第二晶面的上切面和通过彼此接触的第二晶面形成的上顶点。

19.如权利要求18所述的方法，其中，第一晶面相对于基底表面具有第一倾角，并且

第二晶面具有比第一倾角小的第二倾角。

20.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括在设置在基底的上表面的部分区域中的凹凸图案的表面中形成坑。