[发明专利]半导体器件的制造方法、半导体器件的制造装置、半导体器件、半导体器件的制造程序、半导体用处理剂以及转印用部件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

将氧化且溶解半导体层或半导体衬底的处理剂，供给所述半导体层或所述半导体衬底的表面上的供给工序；以及

将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料、岛屿状的催化剂材料、或平板状的催化剂材料，设成接触或接近所述表面的配置状态的配置工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂是由液体及喷雾所组成的群组中选出的至少一种。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂是由过氧化氢水溶液与氢氟酸的混合溶液、硝酸与氢氟酸的混合溶液、过氧化氢水溶液与氟化铵的混合溶液、以及硝酸与氟化铵的混合溶液所组成的群组中选出的一种。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，将与旋转轴相垂直的截面形状呈环状或呈构成所述环的一部分的形状的所述催化剂材料的至少一部分，维持在接触或接近所述表面的配置状态下，使所述催化剂材料相对于所述表面进行相对性地移动且旋转。

5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂含有金属离子。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属离子是由Ni²⁺、Fe²⁺、Fe³⁺、Ag⁺、Cu²⁺、Pd²⁺、Pd⁴⁺所组成的群组中选出的至少一种。

7.如权利要求5或6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属离子的浓度为0.01ppm以上1％以下。

8.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，在保持面对所述表面的所述催化剂材料与所述表面的相对位置关系的状态下，将所述催化剂材料从所述催化剂材料自所述表面分离的位置，移动至所述催化剂材料接触或接近所述表面的位置。

9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述处理剂的温度为20℃以上80℃以下。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述催化剂材料是由铂（Pt）、银（Ag）、铜（Cu）、镍（Ni）、钯（Pd）、金（Au）、铑（Rh）及其中至少二种以上的合金所组成的群组中选出的至少一种。

11.如权利要求1至10中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为太阳能电池。

12.一种半导体器件的制造装置，其特征在于，包括：

将氧化且溶解半导体层或半导体衬底的处理剂，供给所述半导体层或所述半导体衬底的表面上的供给装置；以及

将形成有通孔及/或非通孔的催化剂材料、岛屿状的催化剂材料、或平板状的催化剂材料，设成接触或接近所述表面的配置装置。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，所述处理剂是由液体及喷雾所组成的群组中选出的至少一种。

14.如权利要求第12或13项所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，所述处理剂是由过氧化氢水溶液与氢氟酸的混合溶液、硝酸与氢氟酸的混合溶液、过氧化氢水溶液与氟化铵的混合溶液、以及硝酸与氟化铵的混合溶液所组成的群组中选出的一种。

15.如权利要求12至14中任一项所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，所述配置装置将与旋转轴相垂直的截面形状呈环状或呈构成所述环的一部分的形状的所述催化剂材料的至少一部分，在维持接触或接近所述表面的配置状态的状态下，按照使所述催化剂材料相对于所述表面进行相对性地移动且旋转的方式加以控制。

16.如权利要求12至14中任一项所述的半导体器件的制造装置，其特征在于，所述配置装置在保持面对所述表面的所述催化剂材料与所述表面的相对位置关系的状态下，按照使所述催化剂材料从所述催化剂材料自所述表面分离的位置，移动至所述催化剂材料接触或接近所述表面的位置的方式加以控制。