[发明专利]用于半导体整合的不敏感干法移除工艺

权利要求书

1.一种沉积介电层以及从半导体基板的表面蚀刻介电层的方法，所述方法包括：

沉积第一介电层，所述第一介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率；

沉积第二介电层，其中所述第二介电层在所述沉积之后最初是可流动的，且其中所述第二介电层具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，所述第二湿法蚀刻速率高于所述第一湿法蚀刻速率；以及

用蚀刻剂气体混合物蚀刻所述第一介电层与所述第二介电层，所述蚀刻剂气体混合物包括含氟气体与氨，其中用所述蚀刻剂气体混合物蚀刻的所述第一介电层与所述第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的所述第二湿法蚀刻速率与所述第一湿法蚀刻速率的比率更接近1。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂气体混合物是包括等离子体排出物的干法蚀刻剂气体混合物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层与所述第二介电层中的至少一者包括氧化物。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由热沉积工艺或高密度等离子体沉积工艺来沉积。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由高密度等离子体沉积工艺来沉积。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由旋涂玻璃或可流动CVD来沉积。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由可流动CVD来沉积。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括在沉积所述第二介电层之后固化所述第二介电层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二介电层在约400℃或更低的温度下被沉积、固化与蚀刻。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用所述蚀刻剂气体混合物的蚀刻速率比率低于约1.1。

11.一种在替换式金属栅极半导体工艺中移除半导体基板的表面上的介电材料的方法，所述方法包括：

在所述基板上沉积第一介电材料以产生第一质量的介电层，所述第一质量的介电层具有HF水溶液中的第一湿法蚀刻速率；

沉积第二介电材料，其中所述第二介电材料在所述沉积之后最初是可流动的；

固化所述第二介电材料以产生第二质量的第二介电层，所述第二质量的第二介电层具有HF水溶液中的第二湿法蚀刻速率，所述第二湿法蚀刻速率大于所述第一湿法蚀刻速率；

用干法蚀刻剂气体混合物蚀刻所述第一介电层与所述第二介电层，其中用所述干法蚀刻剂气体混合物蚀刻的所述第一介电层与所述第二介电层的蚀刻速率比率比HF水溶液中的所述第二湿法蚀刻速率与所述第一湿法蚀刻速率的比率更接近1。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻剂气体混合物包括含氟气体与氨的等离子体排出物。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述含氟气体是三氟化氮。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二介电层在约400℃或更低的温度下被沉积、固化与蚀刻。

15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述干法蚀刻剂气体实质上对被蚀刻的所述介电层的质量不敏感，以致用所述干法蚀刻剂气体蚀刻的所述第二电介质的蚀刻速率与用所述干法蚀刻剂气体蚀刻的所述第一介电层的蚀刻速率的比率低于约1.1。

16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由热沉积工艺或高密度等离子体沉积工艺来沉积。

17.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一介电层藉由高密度等离子体沉积工艺来沉积。

18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由旋涂玻璃或可流动CVD来沉积。

19.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第二介电层藉由可流动CVD来沉积。