[发明专利]固态成像器件和成像装置有效
申请号: | 201280048615.0 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103843139B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 山口哲司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体层 固态成像器件 光电转换单元 纵向晶体管 成像装置 栅极电极 两层 嵌入 电路形成面 高灵敏度 色彩分离 堆叠 沟道 | ||
1.一种固态成像器件,其包括:
半导体层,其表面侧成为电路形成面;
两层光电转换单元,它们堆叠并形成在所述半导体层中;
传输栅极,其设置在所述半导体层的所述表面侧,用于传输所述两层光电转换单元中的一层光电转换单元中生成的信号电荷;
纵向晶体管,其栅极电极形成为从所述半导体层的所述表面侧被嵌入到所述半导体层内;和
有机光电转换单元,其布置在所述半导体层的光入射面侧,且由有机光电转换层构成,
其中,所述两层光电转换单元中的另一层光电转换单元形成为跨越所述纵向晶体管的栅极电极的被嵌入到所述半导体层内的部分,并连接到由所述纵向晶体管形成的沟道,
其中,所述半导体层具有与所述表面侧相对的背面侧,并且所述背面侧成为光入射面,并且
其中,在所述有机光电转换层中产生的电荷累积在所述半导体层中的电荷累积区中。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,在电荷累积时段期间,所述纵向晶体管截止,所述纵向晶体管没有形成所述沟道,且浮动扩散部没有连接到所述光电转换单元。
3.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述有机光电转换层形成为跨越所述纵向晶体管的栅极电极的光入射面侧。
4.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,所述固态成像器件具有第一像素和第二像素,在所述第一像素中堆叠并形成有两层的光电转换单元,所述第二像素具有用于对与所述第一像素的所述两层的光电转换单元中的色彩不同的色彩的光执行光电转换的光电转换单元,通过二维地并规则地排列所述第一像素和所述第二像素来构成像素单元,并且在所述第一像素和所述第二像素上分别设置有具有不同吸收波长的滤色器。
5.一种成像装置,其包括:
光学系统;
前述权利要求1-4中任一项所述的固态成像器件,其接收来自所述光学系统的光;以及
信号处理电路,其处理所述固态成像器件的输出信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的