[发明专利]单侧多波段天线有效
申请号: | 201280048627.3 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN103843196A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 福雷斯特·詹姆斯·布莱恩;赖安·詹姆斯·奥尔西;马修·罗伯特·福斯特 | 申请(专利权)人: | 多康公司 |
主分类号: | H01Q7/00 | 分类号: | H01Q7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;李春晖 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单侧多 波段 天线 | ||
1.一种单侧多波段天线,包括:
磁环,所述磁环位于平面上并且被配置成生成磁场,所述磁环包括至少第一部段和第二部段;
单极子,所述单极子由所述磁环的基本上梯形的弯曲部构成,所述单极子被配置成产生第一频段的谐振模式;以及
电场辐射器,所述电场辐射器位于所述平面上并且位于所述磁环内,所述电场辐射器耦接至所述磁环并且被配置成发射处于第二频段的、与所述磁场正交的电场。
2.根据权利要求1所述的天线,还包括被定位成与所述单极子基本上相对的第二单极子,所述第二单极子由所述磁环的第二基本上梯形的弯曲部构成,其中,所述单极子和所述第二单极子构成偶极子,以及其中,所述第二单极子是所述单极子的地网。
3.根据权利要求1所述的天线,还包括位于所述平面上并且位于所述磁环内的第二电场辐射器,所述第二电场辐射器耦接至所述磁环并且被配置成发射处于第三频段的、与所述磁场正交的第三电场。
4.根据权利要求1所述的天线,其中,所述电场辐射器为基本上矩形形状,以及其中,所述电场辐射器的角部被以一定角度切割以降低所述电场辐射器与所述磁环之间的电容性耦合。
5.根据权利要求1所述的天线,其中,所述第一频段与所述第二频段不是谐波相关的。
6.根据权利要求1所述的天线,其中,所述磁环的邻近所述单极子的部分被电容性地加载以使所述单极子谐振。
7.根据权利要求1所述的天线,还包括将所述电场辐射器耦接至所述磁环的电气走线。
8.根据权利要求7所述的天线,其中,所述电气走线使所述电场辐射器在距所述磁环的驱动点约90度或约270度的电气度位置处耦接至所述磁环。
9.根据权利要求7所述的天线,其中,所述电气走线使所述电场辐射器在流经所述磁环的电流处于反射最小的反射最小点处耦接至所述磁环。
10.根据权利要求7所述的天线,其中,所述电气走线被配置成电延长所述电场辐射器。
11.根据权利要求1所述的天线,其中,所述电场辐射器在距所述磁环的驱动点约90度或约270度的电气度位置处直接耦接至所述磁环。
12.根据权利要求1所述的天线,其中,所述电场辐射器在流经所述磁环的电流处于反射最小的反射最小点处直接耦接至所述磁环。
13.一种单侧多波段天线,包括:
磁环,所述磁环位于平面上并且被配置成生成磁场,所述磁环的部段包括基本上矩形的砖形部,所述部段被配置成产生第一频段的谐振模式;
电场辐射器,所述电场辐射器位于所述平面上并且位于所述磁环内,所述电场辐射器耦接至所述磁环并且被配置成发射处于第二频段的并且与所述磁场正交的电场;以及
基本上曲线形走线,所述基本上曲线形走线耦接至所述电场辐射器并且从所述电场辐射器延伸,所述走线被配置成电延长所述电场辐射器。
14.根据权利要求13所述的天线,其中,所述砖形部被定位在所述磁环内。
15.根据权利要求13所述的天线,其中,所述砖形部被定位在所述磁环的外部。
16.根据权利要求13所述的天线,其中,所述第一频带和所述第二频带不是谐振相关的。
17.根据权利要求13所述的天线,还包括将所述电场辐射器耦接至所述磁环的电气走线。
18.根据权利要求17所述的天线,其中,所述电气走线使所述电场辐射器在距所述磁环的驱动点约90度或约270度的电气度位置处耦接至所述磁环。
19.根据权利要求17所述的天线,其中,所述电气走线使所述电场辐射器在流经所述磁环的电流处于反射最小的反射最小点处耦接至所述磁环。
20.根据权利要求13所述的天线,其中,所述电场辐射器在距所述磁环的驱动点约90度或约270度的电气度位置处直接耦接至所述磁环。
21.根据权利要求13所述的天线,其中,所述电场辐射器在流经所述磁环的电流处于反射最小的反射最小点处直接耦接至所述磁环。
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