[发明专利]检测及校正疑难的先进过程控制参数的方法及系统有效
申请号: | 201280048731.2 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN103843124B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 崔东燮;戴维·天 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 校正 疑难 先进 过程 控制 参数 方法 系统 | ||
1.一种用于监视反馈过程控制系统的方法,其包括以下步骤:
接收与调整过程工具相关联的一组经施加的过程控制参数;
测量晶片的多个计量目标位置处的覆盖误差;
确定与调整过程工具相关联的一组经模型化的过程控制参数,其中基于所测量的覆盖误差确定所述组经模型化的过程控制参数;
计算所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值;
确定与所述组经施加的过程控制参数相关联的第一组统计参数、与所述组经模型化的过程控制参数相关联的第二组统计参数,以及与所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值相关联的第三组统计参数中的至少一者;及
基于所述第一组统计参数、所述第二组统计参数和所述第三组统计参数中的至少一者,识别所述反馈过程控制系统内的至少一个预测误差源。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述过程工具包括光刻扫描仪及光刻步进器中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括报告说明所述第一组统计参数、所述第二组统计参数以及所述第三组统计参数中的至少一者的一个或多个图表。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述第二组统计参数包含所述组经模型化的过程控制参数的平均数及偏差中的至少一者。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述第三组统计参数包含所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值的至少偏差值。
6.根据权利要求3所述的方法,其中所述一个或多个图表包含在一组共同轴上并排显示的所述组经模型化的过程控制参数的均一化平均数以及偏差值。
7.根据权利要求3所述的方法,其中所述一个或多个图表包含一组共同轴上并排显示的所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的所述差值的偏差值。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值的所述偏差值包含n*sigma值,其中sigma表示标准偏差。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述组经施加的过程控制参数包括平移参数、旋转参数、放大参数、剂量参数及焦距参数中的至少一者。
10.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括报告一个或多个图表,所述图表显示所述组经施加的过程控制参数、所述组经模型化的过程控制参数和所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值中的至少一者的跨越连续多个晶片的演化。
11.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括报告一个或多个图表,所述图表显示与所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值的跨越连续多个晶片的迭代相关联的背景松弛情境。
12.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:
确定一组自回归加权参数;及
在计算所述组经施加的过程控制参数和所述组经模型化的过程控制参数之间的差值之前,将所述组自回归加权参数施加到从计量工具接收的所述经模型化过程控制参数。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述确定一组自回归加权参数进一步包括:
将一候选组自回归加权参数施加到从所述计量工具接收的所述组经模型化过程控制参数,以产生一经调整组经模型化过程控制参数;
基于一历史组经施加的过程控制参数以及所述组经模型化的过程控制参数之间的差值来计算差指数值;以及
确定与最低差指数值相关联的一组自回归加权参数。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述组自回归加权参数包含指数加权移动平均EWMAλ值。
15.根据权利要求1所述的方法,其中在确定第一组统计参数、第二组统计参数与第三组统计参数中至少一者之前,所述组所测量的参数以及所述组经施加过程控制参数和所述组经模型化过程控制参数之间的差值经均一化为共同尺度。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述共同尺度包含共同单位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造