[发明专利]质谱仪无效

专利信息
申请号: 201280049341.7 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN103875057A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 岩崎光太 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01J49/06 分类号: H01J49/06;H01J37/252;H01J49/10;H01J49/40
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 杨小明
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 质谱仪
【权利要求书】:

1.一种质谱仪,包括:

平台,所述平台用于在其上放置测量对象;

一次离子产生器,所述一次离子产生器被配置为产生要飞行的一次离子;

一次离子光学系统,所述一次离子光学系统被配置为将一次离子引向测量对象并用一次离子照射测量对象;

检测单元,所述检测单元被配置为检测从测量对象发射的二次离子;和

二次离子光学系统,所述二次离子光学系统被配置为将二次离子引向检测单元,

其中,一次离子光学系统包含偏转单元,所述偏转单元被配置为以使得一次离子在飞行过程中与二次离子的飞行空间相交的方式偏转一次离子。

2.根据权利要求1所述的质谱分析装置,

其中,一次离子以使得一次离子通过偏转单元从二次离子的飞行空间外偏转到所述飞行空间内的方式飞行。

3.根据权利要求1或2所述的质谱仪,

其中,至少在使一次离子入射于测量对象上时,一次离子光学系统的离子光轴与二次离子光学系统的离子光轴共轴。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的质谱仪,

其中,偏转单元通过电场偏转一次离子的轨迹。

5.根据权利要求4所述的质谱仪,

其中,偏转单元包含两个或更多个电极。

6.根据权利要求5所述的质谱仪,

其中,至少一对电极相互对置,二次离子光学系统的离子光轴被设置在所述至少一对电极之间,并且,

向其间设置有二次离子光学系统的离子光轴的相互对置的电极施加的电势相互不同。

7.根据权利要求5或6所述的质谱仪,

其中,至少一对电极相互对置,一次离子的轨迹被设置在所述至少一对电极之间,并且,

向其间设置有一次离子光学系统的轨迹的相互对置的电极施加的电势相互不同。

8.根据权利要求5~7中的任一项所述的质谱仪,

其中,所述两个或更多个电极中的一个具有:第一电极,所述第一电极具有用于允许一次离子和二次离子中的至少一种穿过其中的孔径;以及,第二电极。

9.根据权利要求8所述的质谱仪,

其中,第一电极的孔径仅允许一次离子穿过其中。

10.根据权利要求5~7中的任一项所述的质谱仪,

其中,第一电极和第二电极中的至少一个相对于二次离子光学系统的离子光轴倾斜;并且,

两个或更多个电极中的一个具有:第一电极,所述第一电极具有用于允许一次离子和二次离子中的至少一种穿过其中的孔径;以及,第二电极,所述第二电极具有用于允许二次离子穿过其中的孔径。

11.根据权利要求10所述的质谱仪,

其中,第一电极具有多个孔径,并且,第一电极的孔径中的多于两个孔径允许第一离子穿过其中。

12.根据权利要求8所述的质谱仪,

其中,第一电极和第二电极形成扇形电场。

13.根据权利要求12所述的质谱仪,

其中,所述扇形电场的中心角为90°~127°。

14.根据权利要求5~7中的任一项所述的质谱仪,

其中,第一电极和第二电极中的至少一个是网孔电极。

15.根据权利要求5~7中的任一项所述的质谱仪,

其中,第一电极的孔径和第二电极的孔径中的至少一个是用于允许离子穿过其中的狭缝。

16.根据权利要求10、11、14和15中的任一项所述的质谱仪,

其中,第一电极和第二电极中的至少一个相对于二次离子光学系统的离子光轴倾斜30°~45°。

17.根据权利要求1~3中的任一项所述的质谱仪,

其中,偏转单元通过磁场偏转一次离子的轨迹。

18.根据权利要求1~17中的任一项所述的质谱仪,

其中,所述装置是飞行时间质谱仪。

19.根据权利要求1~18中的任一项所述的质谱仪,

其中,一次离子产生器设置在二次离子光学系统的离子光轴外,并且,偏转单元形成在测量对象与检测单元之间。

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