[发明专利]半导体发光器件的表面处理有效
| 申请号： | 201280049448.1 | 申请日： | 2012-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN104040735B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 戎亦文;J.G.内夫;T.S.唐 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 陈俊,汪扬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 表面 处理 | ||
1.一种用于半导体结构的表面处理的方法，包括：
粗糙化半导体结构的表面，所述半导体结构包括发光层，并且所述表面包括通过其从所述半导体结构提取光的表面；以及
在粗糙化之后，处理所述表面以增加所述半导体结构内的全内反射或所述表面处的吸收，其中：
粗糙化表面包括形成具有多个峰的表面；并且
处理所述表面包括使所述多个峰的顶部平坦化。
2.权利要求1所述的方法，其中处理所述表面包括用等离子体处理所述表面。
3.权利要求2所述的方法，其中所述等离子体包括Ar和O中的至少一种。
4.权利要求1所述的方法，其中处理所述表面包括处理所述表面以减少通过所述表面的光提取。
5.权利要求1所述的方法，还包括：
在生长衬底上生长所述半导体结构；
将所述半导体结构附连到基座；以及
移除所述生长衬底；
其中经粗糙化的表面是通过移除所述生长衬底而暴露的表面。
6.权利要求1所述的方法，还包括在经处理的表面上布置波长转换材料。
7.一种用于半导体结构的表面处理的方法，包括：
粗糙化半导体结构的表面，所述半导体结构包括发光层，并且所述表面包括通过其从所述半导体结构提取光的表面；以及
在粗糙化之后，处理所述表面以减少通过所述表面从所述半导体结构提取的光的量，其中：
粗糙化表面包括形成具有多个峰的表面；并且
处理所述表面包括使所述多个峰的顶部平坦化。
8.权利要求7所述的方法，其中处理所述表面包括用等离子体处理所述表面。
9.权利要求8所述的方法，其中所述等离子体包括Ar和O中的至少一种。
10.权利要求7所述的方法，还包括：
在生长衬底上生长所述半导体结构；
将所述半导体结构附连到基座；以及
移除所述生长衬底；
其中经粗糙化的表面是通过移除所述生长衬底而暴露的表面。
11.一种用于半导体结构的表面处理的方法，包括：
在生长衬底上生长半导体结构，所述半导体结构包括布置在n型区和p型区之间的发光层；
移除所述生长衬底；
粗糙化半导体结构的表面，所述表面包括通过其从所述半导体结构提取光的表面；以及
用等离子体处理经粗糙化的表面，其中所述处理减少通过经粗糙化的表面从所述半导体结构提取的光的量，其中：
粗糙化表面包括形成具有多个峰的表面；并且
处理所述表面包括使所述多个峰的顶部平坦化。
12.权利要求11所述的方法，其中用等离子体处理经粗糙化的表面包括处理所述表面以引起所述表面处的全内反射。
13.权利要求11所述的方法，其中用等离子体处理经粗糙化的表面包括处理所述表面以增加所述表面处的光吸收。
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