[发明专利]底部填充组合物有效
申请号: | 201280049573.2 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN103875065A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 堀口有亮;佐野美惠子;佐藤宪一朗 | 申请(专利权)人: | 汉高股份有限及两合公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C08F220/10;C08F222/40;C08F226/06;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 于辉 |
地址: | 德国杜*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底部 填充 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种可用于制备电子装置——特别是半导体装置——的组合物及其用途。
背景技术
作为一项用于半导体芯片的安装技术,倒装芯片技术是已知的,其中通过该技术将半导体芯片直接连接到衬底上。在倒装芯片安装中,通过在半导体芯片的元件形成表面侧上形成的电极(凸起(bump))连接半导体芯片和电路衬底。在该情况下,为了接合部件的加固和连接件可靠性的提高,一般在半导体芯片和接线衬底之间填充底部填充密封剂(其为粘合剂组合物)。
作为一种底部填充组合物,已知含环氧基化合物和/或(甲基)丙烯酸化合物等的粘合剂组合物(如专利文献1)。在这些中,利用(甲基)丙烯酸化合物的自由基固化反应的组合物,相对于含环氧基化合物的组合物,具有反应速率更高并且可提高制备电子装置的效率的优点。
同时,根据需要将各种添加剂(例如抗氧化剂和金属离子粘合剂)混合入底部填充组合物中。通过这种方式,可提高电子装置的质量,例如提高机械强度、粘合性、交联速率等(专利文献2)。
作为一种用于填充底部填充密封剂的方法,已知以下两种方法:其中首先将液体组合物施加至接线衬底上、然后安装半导体芯片以同时进行电极连接和密封的方法;其中首先建立半导体芯片上的电极和衬底间的电连接、然后将液体粘合剂组合物施加至芯片的一侧或多侧上以通过毛细管作用来密封接线衬底和半导体芯片间的间隙的方法(所谓的毛细管方法)等。通过所述方法中的任何一种,需要将液体粘合剂组合物施加至整个接线衬底上,在半导体芯片和接线衬底间的间隙中均匀地填充液体粘合剂组合物等。因此,有时,按需将注射器、衬底等加热至室温或更高温度以提高粘合剂组合物的流动性。
但是,当使用利用自由基固化反应的底部填充密封剂时,存在这样的问题:在进行密封前,底部填充密封剂组合物的固化反应可能有时过早进行,从而导致电极连接不足或工作效率差。当粘合剂组合物处于如上所述的室温或更高温度的状态下时容易发生这些问题。为了克服这些问题,在底部填充密封剂组合物中混入添加剂或降低工作温度,但是仍然不够。因此,仍在寻求对用于电子装置的粘合剂组合物进一步改善。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利特开(Laid-Open)No.2010-226098
专利文献2:日本专利特开No.H08(1996)-213517
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是解决在使用常规粘合组合物剂组合物中的上述问题,以及提供一种提高电子装置的生产率的组合物。此外,本发明的另一个目的是提供含有该组合物的电子装置或电器。
解决技术问题所采取的技术方案
本发明涉及以下方案。
1、底部填充密封剂组合物,所述组合物包含:
(a)(甲基)丙烯酸化合物和
(c)具有烯丙基的异氰脲酸。
2、根据上述第1项的组合物,其还包含(b)马来酰亚胺化合物。
3、根据上述第2项的组合物,其中所述马来酰亚胺化合物(b)包括双马来酰亚胺。
4、根据上述第1-3项中任一项的组合物,还包含自由基引发剂。
5、根据上述第1-4项中任一项的组合物,所述组合物包含:
基于组合物的总重的10-90重量%的(a)(甲基)丙烯酸化合物和
基于组合物的总重的0.001-20重量%的(c)具有烯丙基的异氰脲酸。
6、根据上述第2-5项中任一项的组合物,所述组合物包含基于组合物的总重的0.1-50重量%的(b)马来酰亚胺化合物。
7、根据上述第1-6项中任一项的组合物,其用于倒装芯片安装中。
8、电子装置,所述电子装置包含根据上述第1-7项中任一项的组合物的固化产物。
9、电器,所述电器包含根据上述第8项的电子装置。
发明的有益效果
根据本发明的组合物在室温或更高温度且80℃或更低温度下的固化反应的进行可被充分地抑制。因此,本发明的组合物不会造成在半导体芯片的倒装芯片安装过程中有缺陷的电极连接,并且可确保在安装过程中足够的工作时间。结果,可提供更高质量的产品而不降低通过倒装芯片安装来制造电子装置的生产效率。
具体实施方式
根据本发明的用于电子装置的组合物至少包含
(a)(甲基)丙烯酸化合物,和
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造