[发明专利]用于制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201280049775.7 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103890951A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;和田圭司;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
制备由碳化硅制成的衬底（30）；
在所述衬底（30）中，形成沟槽（15），所述沟槽（15）在所述衬底（30）的一个主表面（30A）侧上开口；以及
在包括所述沟槽（15）的表面的区域中形成氧化物膜（40），
其中，在形成所述氧化物膜（40）的步骤中，在包含氧的气氛中，在不小于1250℃的温度下加热所述衬底（30）。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述氧化物膜（40）的步骤中，在不小于1300℃的温度下加热所述衬底（30）。
3.根据权利要求1或2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述氧化物膜（40）的步骤中，在不大于1400℃的温度下加热所述衬底（30）。
4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的用于制造半导体器件的方法，进一步包括以下步骤：通过在包括包含氮原子的气体的气氛中加热所述衬底（30），来将氮原子引入到下述区域中，所述区域包括在所述氧化物膜（40）和构成所述衬底（30）的碳化硅之间的界面。
5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述衬底（30）的所述主表面（30A）是{0001}面。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在形成所述沟槽（15）的步骤中，形成包括相对于{0001}面具有40°至70°的角度的壁表面（15A）的所述沟槽（15）。
7.一种半导体器件（1），包括：
衬底（30），所述衬底（30）由碳化硅制成并且具有在所述衬底（30）中形成的沟槽（15），所述沟槽（15）在一个主表面（30A）侧上开口；以及
氧化物膜（40），所述氧化物膜（40）被形成为覆盖所述沟槽（15）的表面（15A，15B），
其中，所述氧化物膜（40）的膜厚度的最大值不大于所述膜厚度的最小值的两倍。
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