[发明专利]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，具备：

第1导电型的半导体基板；

第1导电型的第1碳化硅半导体层，位于上述半导体基板的主面上；

第2导电型的体区域，位于上述第1碳化硅半导体层内；

第1导电型的杂质区域，位于上述体区域内；

第1导电型的第2碳化硅半导体层，位于上述第1碳化硅半导体层上，且被配置成分别与上述体区域以及上述杂质区域的至少一部分相连；

上述第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；

上述栅极绝缘膜上的栅电极；

第1欧姆电极，与上述杂质区域电连接；和

第2欧姆电极，被设置于上述半导体基板的背面，

上述第2导电型的体区域包括与上述第1碳化硅半导体层的表面相连的第1体区域、和与上述第2导电型的体区域的底面相连的第2体区域，上述第1体区域的杂质浓度是上述第2体区域的杂质浓度的2倍以上，

上述第1导电型的第2碳化硅半导体层在与上述半导体基板垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与上述栅极绝缘膜相连的一侧的杂质浓度小于与上述第1体区域相连的一侧的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其中，

上述第1导电型的第2碳化硅半导体层具有：

与上述栅极绝缘膜相连的低浓度层；和

位于上述低浓度层的下方且杂质浓度比上述低浓度层高的高浓度层。

3.一种半导体元件，具备：

第1导电型的半导体基板；

第1导电型的第1碳化硅半导体层，位于上述半导体基板的主面上；

第2导电型的体区域，位于上述第1碳化硅半导体层内；

第1导电型的杂质区域，位于上述体区域内；

第1导电型的第2碳化硅半导体层，位于上述第1碳化硅半导体层上，且被配置成分别与上述体区域以及上述杂质区域的至少一部分相连；

上述第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；

上述栅极绝缘膜上的栅电极；

第1欧姆电极，与上述杂质区域电连接；和

第2欧姆电极，被设置于上述半导体基板的背面，

上述第2导电型的体区域包括与上述第1碳化硅半导体层的表面相连的第1体区域、和与上述第2导电型的体区域的底面相连的第2体区域，上述第1体区域的杂质浓度是上述第2体区域的杂质浓度的2倍以上，

上述第1导电型的第2碳化硅半导体层在与上述半导体基板垂直的方向上具有杂质浓度的分布，包括杂质浓度比与上述栅极绝缘膜相连的一侧的第1区域以及与上述第1体区域相连的一侧的第2区域都大的第3区域。

4.根据权利要求3所述的半导体元件，其中，

在上述第1导电型的第2碳化硅半导体层中，

上述第1区域为与上述栅极绝缘膜相连的第1低浓度层，

上述第3区域为位于上述低浓度层的下方且杂质浓度比上述第1低浓度层高的高浓度层，

上述第2区域为位于上述高浓度层的下方且杂质浓度比上述高浓度层低的第2低浓度层。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其中，

上述第1导电型的第2碳化硅半导体层由上述第1低浓度层、上述高浓度层和上述第2低浓度层构成。

6.根据权利要求1或3所述的半导体元件，其中，

上述半导体元件具有至少位于相邻的两个体区域之间的第1导电型的注入区域，上述注入区域形成为比上述第1体区域还深。

7.根据权利要求6所述的半导体元件，其中，

上述注入区域形成为比上述第2体区域还深。

8.根据权利要求6所述的半导体元件，其中，

上述注入区域形成为比上述第2体区域还浅。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体元件，其中，

从与上述半导体基板垂直的方向观察时，上述注入区域的至少一部分与上述第1体区域重叠。

10.根据权利要求9所述的半导体元件，其中，

从与上述半导体基板垂直的方向观察时，上述注入区域的至少一部分与上述杂质区域重叠。