[发明专利]光电子器件和发光材料有效
申请号: | 201280050433.7 | 申请日: | 2012-09-26 |
公开(公告)号: | CN103857767B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 亚历山大·鲍姆加特纳;弗兰克·耶尔曼;斯特凡·朗格;蒂姆·菲德勒 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | C09K11/77 | 分类号: | C09K11/77;H05B33/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 发光 材料 | ||
1.一种光电子器件,包括:
-具有有源区的层序列(1),所述有源区发射初级电磁辐射;
-转换材料,所述转换材料设置在所述初级电磁辐射的光路中并且至少部分地将所述初级电磁辐射转换为次级电磁辐射;
-其中所述转换材料包括第一发光材料(6-1),所述第一发光材料具有通常的组成成分A3B5O12,其中A从如下组中选择,所述组包括Y、Lu、Gd和Ce以及它们的组合,并且其中B包括由Al和Ga构成的组合;并且包括第二发光材料(6-2),其中所述第二发光材料(6-2)从下述第二发光材料(6-2)及其组合的组中选择:
-由具有阳离子M4的M4-Al-Si-N系统构成的第二发光材料(6-2),其中M4包括Ca或者由Ca与至少一种其它的元素构成的组合,所述其它的元素来自于组Ba、Sr、Mg、Zn、Cd,其中所述第二发光材料(6-2)通过Eu激活,所述Eu部分地替代M4,其中所述第二发光材料(6-2)形成与所述系统M43N2-AlN-Si3N4相关联的相,其中所述成分的原子比M4:Al≥0.375,并且原子比Si/Ai≥1.4,
-由具有阳离子M5的M5-Al-Si-N系统构成的第二发光材料(6-2),其中M5包括Ca或者Ba或者Sr,其中M5附加地能够与至少一种其它的元素进行组合,所述其它的元素来自于组Mg、Zn、Cd,其中所述第二发光材料(6-2)通过Eu激活,所述Eu部分地替代M5,其中所述第二发光材料(6-2)附加地包含LiF,其中LiF的份额以M5计为至少1摩尔%,
-第二发光材料(6-2)M1AlSiN3·Si2N2O,
-第二发光材料(6-2)M3AlSiN3,以及
-第二发光材料(6-2)M2Si5N8,其中M是由Ca、Sr、Ba和Eu构成的组合,M1从如下组中选择,所述组包括Sr、Ca、Mg、Li,、Eu和它们的组合,并且M3从如下组中选择,所述组包括Sr、Ca、Mg、Li、Eu和它们的组合。
2.根据权利要求1所述的光电子器件,其中所述第二发光材料(6-2)是M1AlSiN3·Si2N2O和/或M3AlSiN3和/或M2Si5N8。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的光电子器件,其中所述第二发光材料(6-2)是M2Si5N8,并且Ca以选自2.5摩尔%至25摩尔%的范围中的份额存在于所述第二发光材料(6-2)中。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子器件,其中所述第二发光材料(6-2)是M2Si5N8,并且Ba以大于或者等于40摩尔%的份额存在于所述第二发光材料(6-2)中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件,其中所述第二发光材料(6-2)是M2Si5N8,并且Eu以选自0.5摩尔%至10摩尔%的范围中的份额存在于所述第二发光材料(6-2)中。
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