[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的氧化物半导体膜；

所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；

所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜，其中所述栅极绝缘膜包含含有硅的氧化物；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

其中，所述氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，

所述区域位于所述氧化物半导体膜与所述栅极绝缘膜之间的界面且接触于所述栅极绝缘膜，

并且，所述区域包括结晶部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜的端部具有20°至50°的锥角。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中除了所述区域之外的所述氧化物半导体膜包括第二结晶部。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述衬底与所述氧化物半导体膜之间的基底绝缘膜，

其中在所述结晶部中，c轴在垂直于所述基底绝缘膜与所述氧化物半导体膜之间的界面的方向上一致。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述区域中的所述硅浓度为0.1at.％以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括所述栅极绝缘膜和所述栅电极上的层间绝缘膜。

7.一种半导体装置，包括：

衬底上的氧化物半导体膜；

所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；

所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜，其中所述栅极绝缘膜包含含有硅的氧化物；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

其中，所述氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下且碳浓度为1.0×10²⁰atoms／cm³以下的区域，

所述区域位于所述氧化物半导体膜与所述栅极绝缘膜之间的界面且接触于所述栅极绝缘膜，

并且，所述区域包括结晶部。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜的端部具有20°至50°的锥角。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中除了所述区域之外的所述氧化物半导体膜包括第二结晶部。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括所述衬底与所述氧化物半导体膜之间的基底绝缘膜，

其中在所述结晶部中，c轴在垂直于所述基底绝缘膜与所述氧化物半导体膜之间的界面的方向上一致。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述区域中的所述硅浓度为0.1at.％以下。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括所述栅极绝缘膜和所述栅电极上的层间绝缘膜。

13.一种半导体装置，包括：

衬底上的氧化物半导体膜；

所述氧化物半导体膜上的源电极和漏电极；

所述氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜，其中所述栅极绝缘膜包含含有硅的氧化物；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极，

其中，所述氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下且碳浓度为1.0×10²⁰atoms／cm³以下的区域，

所述区域位于所述氧化物半导体膜与所述栅极绝缘膜之间的界面且接触于所述栅极绝缘膜，

所述区域包括结晶部，

并且，所述区域具有5nm以下的厚度。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜的端部具有20°至50°的锥角。

15.根据权利要求13所述的半导体装置，其中除了所述区域之外的所述氧化物半导体膜包括第二结晶部。

16.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括所述衬底与所述氧化物半导体膜之间的基底绝缘膜，

其中在所述结晶部中，c轴在垂直于所述基底绝缘膜与所述氧化物半导体膜之间的界面的方向上一致。

17.根据权利要求13所述的半导体装置，其中所述区域中的所述硅浓度为0.1at.％以下。

18.根据权利要求13所述的半导体装置，还包括所述栅极绝缘膜和所述栅电极上的层间绝缘膜。