[发明专利]R‑T‑B系烧结磁体及其制造方法、以及旋转电机有效

专利信息
申请号: 201280050562.6 申请日: 2012-10-11
公开(公告)号: CN103858185B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 加藤英治;石坂力;坪仓多惠子;石山保;神宫信宏 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;B22D11/00;B22D11/06;B22F3/00;B22F9/04;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 及其 制造 方法 以及 旋转 电机
【权利要求书】:

1.一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

是具有包含了稀土元素、过渡元素和硼的组成的R-T-B系烧结磁体,

具备:具有包含所述稀土元素、所述过渡元素和硼的组成的晶粒;以及形成在该晶粒之间的晶界区域,

所述晶粒含有R2T14B相,

三相点区域是被3个以上的所述晶粒所包围的所述晶界区域,该三相点区域包含质量基准的R的含量比例高于所述R2T14B相的相,

所述三相点区域具有稀土元素的质量比率比所述晶粒高的组成,

截面上的所述三相点区域的面积平均值为2μm2以下,该面积的分布的标准偏差为3以下,

其中,R表示除了镝以外的稀土元素,但镝可以以不可避免的杂质形式存在,其含量相对于R整体的比例小于0.1质量%,T表示过渡元素,B表示硼,

所述三相点区域中的所述稀土元素的含量为80~99质量%,该含量的分布的标准偏差为3以下。

2.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

作为所述稀土元素,铽以及钬相对于R整体的比例分别小于0.1质量%。

3.如权利要求1所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

所述晶粒的平均粒径为0.5~5μm。

4.如权利要求2所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

所述晶粒的平均粒径为0.5~5μm。

5.如权利要求1~4中的任一项所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

所述稀土元素的含量为25~37质量%,所述硼的含量为0.5~1.5质量%,所述过渡元素中所包含的钴的含量为3质量%以下且不含0。

6.如权利要求1~4中的任一项所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

通过将具备包含R2T14B相的树枝状的晶粒、以及包含稀土元素的质量比率比所述R2T14B相高的相的晶界区域,截面上的R含量比R2T14B相高的所述相的间隔的平均值为3μm以下的R-T-B系合金薄片的粉碎物用作原料来获得。

7.如权利要求5所述的R-T-B系烧结磁体,其特征在于:

通过将具备包含R2T14B相的树枝状的晶粒、以及包含稀土元素的质量比率比所述R2T14B相高的相的晶界区域,截面上的R含量比R2T14B相高的所述相的间隔的平均值为3μm以下的R-T-B系合金薄片的粉碎物用作原料来获得。

8.一种旋转电机,其特征在于:

具备权利要求1~7中的任一项所述的R-T-B系烧结磁体。

9.一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其特征在于:

具备:

调制R-T-B系合金薄片的工序,所述R-T-B系合金薄片具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的树枝状的晶粒以及稀土元素的质量比率比所述晶粒高的晶界区域,所述晶界区域的间隔的平均值为3μm以下;

粉碎所述R-T-B系合金薄片并得到合金粉末的工序;以及

在磁场中对所述合金粉末进行成形并烧成而制作具有包含稀土元素、过渡元素和硼的组成的R-T-B系烧结磁体的工序,

其中,R表示除了镝以外的稀土元素,但镝可以以不可避免的杂质形式存在,其含量相对于R整体的比例小于0.1质量%,T表示过渡元素,B表示硼,

截面上的所述三相点区域的面积平均值为2μm2以下,该面积的分布的标准偏差为3以下,

三相点区域中的所述稀土元素的含量为80~99质量%,该含量的分布的标准偏差为3以下。

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