[发明专利]位于衬底上的平坦化半导体颗粒

权利要求书

1.一种半导体器件包括：

衬底；

固定于所述衬底上的半导体颗粒，所述颗粒具有平坦表面，横跨所述平坦表面的最长尺寸小于15mm，其中所述颗粒的直接位于所述平坦表面之下或者上的至少一部分被掺杂第一类型的第一掺杂剂，并且其中另一部分被掺杂第二类型的第二掺杂剂；

位于所述平坦表面处或者上的第一接触，与所述第一掺杂剂接触；以及

位于所述平坦表面处或者上的第二接触，与所述第二掺杂剂接触；

其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂中的一个是n型。

2.根据权利要求1所述的半导体颗粒，其中所述器件是位于所述平坦表面处的栅控半导体器件。

3.根据权利要求2所述的半导体颗粒，其中所述栅控半导体器件在所述平坦表面处具有氧化物层，所述氧化物层形成具有接触的栅极，所述接触与第一接触和第二接触电绝缘。

4.一种在权利要求中限定的半导体器件，包括多个如权利要求1所述的半导体颗粒，其中所述颗粒以随机定向固定于同一衬底上，并且其中所述颗粒垂直于所述平坦表面的深度的最长尺寸是至少1μm。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述颗粒是被截平的球体颗粒。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述颗粒是单晶颗粒。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述颗粒的横跨所述平坦表面的最长尺寸的直径大于1μm且小于10mm。

8.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述颗粒是多晶。

9.如权利要求4所述的半导体器件，其中保形涂层被涂覆到所述颗粒上。

10.一种在衬底上形成多个电子器件的方法，包括：

在衬底上的预定位置处布置半导体颗粒；

在所述预定位置处将所述半导体颗粒不可移动地固定就位；

去除所述颗粒中每一个的一部分，以暴露所述颗粒的截面，其中所述截面是横跨最长尺寸小于15mm且大于1μm的平坦表面；以及

在每个平坦表面上或者直接在所述平坦表面下提供可控的栅控电子部件，并且提供到所述部件的由所述平坦表面支撑的至少两个电接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述颗粒中的每一个具有至少两个不同掺杂的区域，其中所述不同掺杂的区域是p型和n型。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在不可移动地固定所述颗粒之后，保形涂层被涂覆于所述半导体颗粒上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述颗粒是平坦化的球形颗粒，并且在涂覆所述保形涂层之后被平坦化。

14.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在提供可控的栅控电子部件之后，将所述衬底切割成较小器件的步骤。