[发明专利]半导体晶片中掺杂变化的光致发光成像

权利要求书

1.一种用于识别半导体材料中掺杂变化的方法，所述方法包括以下步骤：

（a）用适于从所述材料产生光致发光的激发光照射所述材料；

（b）获取从所述材料发出的所述光致发光的图像；以及

（c）基于所述图像中的差别识别所述掺杂变化。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述差别包括强度对比度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述差别包括波长变化。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（d）在所述材料上形成指示所识别的掺杂变化的一个或多个光学可见标记。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（e）确定所识别的掺杂变化和所述材料上一个或多个光学可见标记之间的相对位置。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（f）利用所识别的掺杂变化或所述光学可见标记来对准所述材料，用于来自所述材料的器件制造中的随后步骤。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（g）处理所述图像以获得所述材料中有关位错、裂纹或低载流子寿命区的信息。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（h）利用所识别的掺杂变化或所述有关位错、裂纹或低载流子寿命区的信息，来放弃所述材料或来调整产生所述掺杂变化的处理步骤的参数。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法被用于识别掺杂变化，所述掺杂变化包括在所述材料的表面中或表面上形成的不同掺杂区的图案的位置或取向。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述不同掺杂区在被照射和成像的所述材料的表面中或表面上。

11.根据权利要求9或权利要求10所述的方法，其中，所述不同掺杂区包含所述材料中的与背景掺杂剂极性相反的掺杂剂。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法被应用到包括单晶或多晶硅晶片的材料或光伏电池中。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述图像从所述材料的子区域获取。

14.一种用于识别半导体晶片上选择性发射极结构的方法，所述方法包括以下步骤：

（a）用适于从所述晶片产生光致发光的激发光照射所述晶片；

（b）获取从所述晶片发出的光致发光的图像；以及

（c）基于所述图像中的差别识别所述选择性发射极结构的位置或取向。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述差别包括强度对比度。

16.根据权利14或权利要求15所述的方法，其中，所述选择性发射极结构在被照射和成像的所述晶片的表面中或表面上。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（d）处理所述图像以获得所述晶片中有关位错、裂纹或低载流子寿命区的信息。

18.根据权利要求14至17中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（e）利用所识别的所述选择性发射极结构的位置或取向，或所述有关位错、裂纹或低载流子寿命区的信息，来调整产生所述选择性发射极结构的处理步骤的参数。

19.根据权利要求14至18中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（f）在所述晶片上形成指示所述选择性发射极结构的位置或取向的一个或多个光学可见标记。

20.根据权利要求14至18中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（g）确定所述选择性发射极结构和所述材料上一个或多个光学可见标记之间的相对位置。

21.根据权利要求14至20中任一项所述的方法，进一步包括以下步骤：（h）利用所识别的所述选择性发射极结构的位置或取向，或所述光学可见标记，来对准所述晶片以用于随后的金属化步骤或用于促进随后的金属化步骤的步骤。

22.根据权利要求21中所述的方法，进一步包括以下步骤：（j）在所述金属化步骤后获取所述晶片的光致发光图像。