[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

包括施主层，该施主层将通过质子照射形成在第1导电型漂移层内部的结晶缺陷施主化而成，

所述施主层具有由第1部位及第2部位构成的杂质浓度分布，该第1部位的杂质浓度极大，该第2部位具有以规定的比例从所述第1部位朝向所述第1导电型漂移层的两主面侧下降到与所述第1导电型漂移层相同的杂质浓度为止的浓度梯度，

所述结晶缺陷主要是因空孔、氧原子以及氢原子引起的复合结晶缺陷。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述结晶缺陷包含：因空孔、氧原子以及氢原子引起的第1复合缺陷、由复合空孔、空孔以及磷原子引起的第2复合缺陷、以及由空孔和氧原子引起的第3复合缺陷。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1复合缺陷的陷阱能级密度高于所述第2复合缺陷的陷阱能级密度。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1复合缺陷的通过深能级瞬态谱测定到的信号强度高于所述第2复合缺陷的通过深能级瞬态谱测定到的信号强度。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1复合缺陷的陷阱能级密度比所述第2复合缺陷的陷阱能级密度的2倍还要高。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1复合缺陷的通过深能级瞬态谱测定到的信号强度比所述第2复合缺陷的通过深能级瞬态谱测定到的信号强度的2倍还要高。

7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第3复合缺陷的陷阱能级密度高于所述第2复合缺陷的陷阱能级密度，且低于所述第1复合缺陷的陷阱能级密度。

8.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第3复合缺陷的通过深能级瞬态谱测定到的信号强度高于所述第2复合缺陷的通过深能级瞬态谱测定到的信号强度，且低于所述第1复合缺陷的通过DLTS法测定到的信号强度。

9.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

若将所述第1复合缺陷、所述第3复合缺陷以及所述第2复合缺陷的通过能级瞬态谱测定到的信号强度分别设作VOH、VO以及VV+VP，并可以改变所述第3复合缺陷的比率，则VOH：VO：VV+VP为2：1：1以上、2：2：1以下。

10.如权利要求1至9的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置是具备第1导电型半导体区域以及第2导电型半导体区域的pin二极管，该第1导电型半导体区域以及第2导电型半导体区域夹着所述第1导电型漂移层并相对面，且电阻低于所述第1导电型漂移层。

11.如权利要求1至9的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置是绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管在所述第1导电型漂移层的一个主面侧具备由金属-氧化膜-半导体构成的绝缘栅结构。