[发明专利]气体分散设备有效
申请号: | 201280051101.0 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN103890911B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 戴维·K·卡尔森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 分散 设备 | ||
1.一种气体分散设备,用以提供气体至工艺腔室,所述气体分散设备包括:
石英主体,所述石英主体具有顶部、环和底板,所述环耦接所述顶部的底表面,所述底板具有多个气体分散孔并相对于所述顶部耦接所述环;
多个石英板,所述多个石英板设置于所述顶部与所述底板之间,其中所述多个石英板被定位在彼此上方并间隔开来,以在所述多个石英板的每个石英板和所述石英底板上方形成多个气室;
多个石英管,所述多个石英管用以将所述气室耦接至所述多个分散孔,所述多个石英管的每个石英管具有第一端,所述第一端流通地耦接所述气室中的一个气室,且所述多个石英管的每个石英管具有第二端,所述第二端耦接所述多个分散孔中的一个分散孔;和
多个导管,所述多个导管设置穿过所述石英主体的所述顶部,其中所述多个导管的每个导管耦接所述气室中的一个对应的气室,以将工艺气体提供至所述气室。
2.如权利要求1所述的气体分散设备,其中所述多个气体分散孔具有约1至约6毫米的直径。
3.如权利要求1所述的气体分散设备,其中所述多个气体分散孔在每气室包括约100至约500个气体分散孔。
4.如权利要求1至3中任一项所述的气体分散设备,进一步包括反射性涂层,所述反射性涂层设置于所述石英主体的底表面或所述石英主体的顶表面中的至少一者上。
5.如权利要求4所述的气体分散设备,其中所述反射性涂层包含透明或不透明的石英(SiO2)层。
6.如权利要求1至3中任一项所述的气体分散设备,其中所述气体分散设备包括气体供应件,所述气体供应件容纳所述多个导管并具有一部分自所述石英主体延伸,使得所述部分能被设置在通孔内,所述通孔形成于所述工艺腔室的壁或天花板中。
7.如权利要求6所述的气体分散设备,其中所述气体供应件是以下之一:
空心管,所述空心管耦接所述石英主体的所述顶部,且其中所述多个导管是设置在所述气体供应件内的多个管;或
固态块体,所述固态块体设置于所述石英主体内,且其中所述多个导管是形成于所述固态块体内的多个通道。
8.如权利要求6所述的气体分散设备,其中所述气体供应件是固态块体,所述固态块体设置于所述石英主体内,其中所述多个导管是形成于所述固态块体内的多个通道,且其中所述固态块体由不锈钢或铝制成。
9.如权利要求1至3中任一项所述的气体分散设备,进一步包括:
通道,所述通道设置于所述石英主体内并接近所述石英主体的外侧边缘,所述通道构造为在所述石英主体的所述外侧边缘周围提供冷却剂气体流,以控制所述气体分散设备的温度。
10.如权利要求9所述的气体分散设备,其中所述通道是设置于所述多个板的底板与所述石英主体的所述底板之间,或其中所述通道是设置于所述石英主体的所述顶部与所述底板之间,并围绕所述多个板的外侧边缘。
11.一种工艺腔室,用以处理基板,所述工艺腔室包括:
腔室主体,具有设置于所述腔室主体内的如权利要求1至3中任一项所述的气体分散设备。
12.如权利要求11所述的工艺腔室,进一步包括反射性涂层,所述反射性涂层设置于所述腔室主体的表面上,其中所述腔室主体的所述表面设置为接近所述石英主体。
13.如权利要求11所述的工艺腔室,进一步包括:
衬里,所述衬里设置于所述腔室主体内,其中所述石英主体置于所述衬里的一部分的顶上。
14.如权利要求11所述的工艺腔室,进一步包括:
气体入口,所述气体入口设置于所述腔室主体接近所述石英主体的壁或天花板中,以提供温度控制气体接近所述石英主体的外表面。
15.如权利要求14所述的工艺腔室,进一步包括:
一个或多个热电耦,所述一个或多个热电耦设置于所述腔室主体接近所述石英主体的壁或天花板中,以监测所述气体分散设备的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造