[发明专利]在非传导表面上形成传导图像的方法

权利要求书

1.一种在表面上形成传导层的方法，包括：

活化非传导衬底表面的至少一部分；

应用磁场到所述表面；

在所述表面的活化部分的至少一部分上沉积金属配位络合物；

消除所述磁场；

将所述金属配位络合物暴露在电磁辐射下；

将所述金属配位络合物还原成元素金属；

从所述表面去除未还原的金属配位络合物；

干燥所述表面；以及

将传导材料沉积到所述表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其中活化所述衬底表面包括蚀刻所述表面。

3.如权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述表面包括化学蚀刻。

4.如权利要求3所述的方法，其中化学蚀刻包括酸蚀刻、基底蚀刻或氧化蚀刻。

5.如权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述表面包括机械蚀刻。

6.如权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述表面包括等离子蚀刻。

7.如权利要求2所述的方法，其中蚀刻所述表面包括激光蚀刻。

8.如权利要求6所述的方法，其中等离子或激光蚀刻包括以预确定的图案蚀刻。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述磁场具有至少1000高斯的磁通量密度。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述磁场与所述表面正交。

11.如权利要求1所述的方法，其中在所述表面的至少一部分上沉积金属配位络合物包括使用掩膜。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述掩膜包括电子电路。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述电子电路从由模拟电路、数字电路、混合信号电路和RF电路组成的群组中选择。

14.一种使用如权利要求1所述方法制造的模拟电路。

15.一种使用如权利要求1所述方法制造的数字电路。

16.一种使用如权利要求1所述方法制造的混合信号电路。

17.一种使用如权利要求1所述方法制造的RF电路。

18.如权利要求1所述的方法，其中使金属配位络合物暴露在电磁辐射下包括微波辐射、红外线辐射、可见光辐射、紫外线辐射、X射线辐射或伽玛辐射。

19.如权利要求1所述的方法，其中使所述金属配位络合物还原成零氧化态金属包括使用金属和/或催化剂的组合。

20.如权利要求1所述的方法，其中从所述表面去除未还原的金属配位络合物包括使用溶剂冲洗所述表面。

21.如权利要求1所述的方法，其中干燥所述表面包括在环境温度干燥或者在升高温度干燥。

22.如权利要求21所述的方法，其中在环境或升高温度干燥所述表面包括使用真空室。

23.如权利要求1所述的方法，其中将传导材料沉积到所述表面上包括金属到包括所述还原金属配位络合物的表面的部分上的电解沉积。

24.如权利要求23所述的方法，其中金属到包括所还原金属配位络合物的表面的所述部分上的电解沉积包括：

使直流电源的负极端子至少接触包括所述还原金属配位络合物的表面的所述部分；

提供包括要沉积的金属盐的水溶液、由浸入所述水溶液的金属形成的电极或其组合；

使所述直流电源的正极端子接触所述水溶液；

至少使包括所还原金属配位络合物的表面的部分接触所述水溶液；以及

打开所述电源。

25.如权利要求1所述的方法，其中将传导材料沉积到所述表面上包括金属到包括所还原金属配位络合物的表面的部分上的无电沉积。

26.如权利要求25所述的方法，其中将金属无电沉积到包括所还原金属配位络合物的表面的部分上包括至少使包括金属配位络合物的表面的部分接触包括所述金属盐、络合剂和还原剂的溶液。

27.如权利要求1所述的方法，其中将传导材料沉积到所述表面上包括非金属传导物质到包括所还原金属配位络合物的表面的部分上的沉积。