[发明专利]用于成像系统的无源检测器在审
申请号: | 201280051175.4 | 申请日: | 2012-08-17 |
公开(公告)号: | CN104040725A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 霍华德·E·卡彭特;彼得·N·考夫曼 | 申请(专利权)人: | 公共服务解决方案公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金鹏;陈昌柏 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 成像 系统 无源 检测器 | ||
1.一种光子检测器设备,包括:
基底;
具有一频率且配置在所述基底上的谐振器构件;
无源检测器结构,配置在所述基底上并与所述谐振器构件机械地耦接,其中所述无源检测器结构包括检测器构件,所述检测器构件响应于光子曝射而机械变形以将机械力施加到所述谐振器构件,并响应于所述机械力改变所述谐振器构件的频率;以及
数字电路,耦接到所述谐振器构件,用于确定所述谐振器构件的频率,并基于所确定的频率来确定由所述检测器构件吸收的入射光子能量的数量,其中所述谐振器构件的频率由于由所述无源检测器结构施加到所述谐振器构件上的机械力而改变。
2.根据权利要求1所述的光子检测器,其中所述光子检测器被配置为探测红外能量。
3.根据权利要求1所述的光子检测器,其中所述无源检测器结构还包括第一支撑构件,其中所述检测器构件包括带状构件,并且其中所述无源检测器结构和所述谐振器构件形成桥结构,其中所述桥结构包括所述带状构件,所述带状构件悬挂在所述基底上方且位于所述基底上方的所述第一支撑构件与所述谐振器构件之间,其中所述带状构件包括具有热膨胀系数的材料,通过吸收光子能量而膨胀和收缩以将机械力施加到所述谐振器构件。
4.根据权利要求3所述的光子检测器,其中所述第一支撑构件是固定的隔离支撑构件。
5.根据权利要求1所述的光子检测器,还包括:
反射器,配置在所述基底上且在所述带状构件的下方。
6.根据权利要求1所述的光子检测器,其中所述谐振器构件包括压电振荡器。
7.根据权利要求1所述的光子检测器,其中所述无源检测器结构还包括第一支撑构件,其中所述检测器构件包括板构件,并且其中所述板构件配置在所述第一支撑构件与所述谐振器构件之间,其中所述板构件包括具有热膨胀系数的材料,通过吸收光子能量而膨胀和收缩以将机械力施加到所述谐振器构件。
8.根据权利要求7所述的光子检测器,其中所述第一支撑构件具有第一凹槽,并且其中所述谐振器构件包括第二凹槽,其中所述板构件的端部被配置在所述第一凹槽和第二凹槽内。
9.根据权利要求7所述的光子检测器,还包括邻近所述谐振器构件配置的第二支撑构件,其中所述第一支撑构件具有第一凹槽,并且其中所述第二支撑构件具有第二凹槽,其中所述板构件的端部被配置在所述第一凹槽和第二凹槽内,其中在所述板构件响应于光子曝射而膨胀时,所述第二凹槽允许所述板构件接触所述谐振器构件并将机械力施加到所述谐振器构件。
10.根据权利要求7所述的光子检测器,其中在预应力状态下,所述板构件配置在所述第一支撑构件和所述谐振器构件之间。
11.根据权利要求1所述的光子检测器,其中所述谐振器构件包括形成在其表面中的凹入的空腔区域,其中所述检测器构件包括配置在所述谐振器构件的所述凹入的空腔区域内的板构件,其中所述无源检测器结构还包括第一支撑构件,所述第一支撑构件配置在所述谐振器构件的所述表面上并且重叠所述凹入的空腔区域的至少一部分以将所述板构件锁固在所述空腔区域内,并且其中所述板构件包括具有热膨胀系数的材料,通过吸收光子能量而膨胀和收缩以将机械力施加到谐振器构件。
12.根据权利要求11所述的光子检测器,其中所述第一支撑构件是连续的框架结构,牢固地锁固到所述谐振器构件的表面上,其中所述第一支撑构件的一部分重叠所述空腔区域的内部侧壁,以提供覆盖所述板构件的外周上表面边缘的唇部,同时为所述板构件留下开口的表面积以吸收光子能量。
13.根据权利要求11所述的光子检测器,其中所述板构件的膨胀在三个维度中将机械力施加到所述谐振器构件上。
14.根据权利要求11所述的光子检测器,其中在预应力状态下,所述板构件配置在所述谐振器构件的所述凹入的空腔内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的