[发明专利]薄膜太阳能电池模块及其制造方法有效
申请号: | 201280051972.2 | 申请日: | 2012-08-31 |
公开(公告)号: | CN103907197A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 增茂邦雄;东诚二 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/046 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 冯雅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池模块的制造方法,该薄膜太阳能电池模块是在基体上依次层叠透明导电性氧化物膜、保护涂膜、光电转换层和背面电极层而形成的,具有多个薄膜太阳能电池单元,该多个薄膜太阳能电池单元是比所述基体更靠上部的层在与所述基板大致垂直的方向上被多个分离沟分割而成的,邻接的所述薄膜太阳能电池单元之间电串联连接,其特征在于,包括:
在所述基体上形成所述透明导电性氧化物膜的工序;在所述透明导电性氧化物膜上形成所述保护涂膜的工序;和采用激光刻划法在所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜上形成第一分离沟,将所述透明导电性氧化物膜和所述保护涂膜分割的透明导电性氧化物膜和保护涂膜的图案化工序;
在所述第一分离沟内和所述保护涂膜上形成所述光电转换层的工序;采用激光刻划法在所述光电转换层形成第二分离沟,将所述光电转换层分割的光电转换层的图案化工序;
在所述第二分离沟内和所述光电转换层上形成所述背面电极层的工序;采用激光刻划法在所述背面电极层和光电转换层形成第三分离沟,将所述背面电极层和光电转换层分割的背面电极层和光电转换层的图案化工序;
以使所述第二分离沟的顶端位于所述透明导电性氧化物膜内的条件实施所述光电转换层的图案化工序。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,在所述光电转换层形成第二分离沟的激光刻划法的激光的功率密度大于0.1mW/μm2。
3.如权利要求1或2所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,在所述第二分离沟内将背面电极层和透明导电性氧化物膜电连接。
4.如权利要求1~3中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述透明导电性氧化物膜是含有氟作为掺杂剂的氧化锡膜。
5.如权利要求1~4中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述透明导电性氧化物膜的膜厚为400~1200nm。
6.如权利要求1~5中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述透明导电性氧化物膜的形成采用常压CVD法。
7.如权利要求1~6中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述保护涂膜是以氧化钛作为主成分且含有氧化锡的膜。
8.如权利要求1~7中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述保护涂膜的膜厚为10~100nm。
9.如权利要求1~8中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述保护涂膜的形成采用常压CVD法。
10.如权利要求1~9中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述光电转换层包括依次形成有p层、i层、n层的层、即p-i-n层。
11.如权利要求1~10中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述光电转换层的形成采用等离子体CVD法。
12.如权利要求1~11中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述背面电极层以银、铝、或它们的合金作为主成分。
13.如权利要求1~12中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述背面电极层的膜厚为100~300nm。
14.如权利要求1~13中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,所述背面电极层的形成采用溅射法。
15.如权利要求1~14中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,形成第二分离沟时的激光的照射部位处的能量分布为高斯分布。
16.如权利要求1~15中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法,其特征在于,在所述透明导电性氧化物膜和保护涂膜的图案化工序、所述光电转换层的图案化工序、以及所述背面电极层和光电转换层的图案化工序中,使用激发波长在1064nm附近的激光源。
17.一种薄膜太阳能电池模块,其特征在于,由权利要求1~16中任一项所述的薄膜太阳能电池模块的制造方法制得。
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