[发明专利]用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物,以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法无效

专利信息
申请号: 201280051982.6 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN103890107A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 周理古;R.A.斯皮尔;R.Y-K.梁;樊文亚;H.X.徐;L.M.梅廷;A.S.布哈纳普 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: C09D11/03 分类号: C09D11/03;H01L21/265
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 赵苏林;杨思捷
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 基底 形成 掺杂 区域 油墨 组合 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.掺杂剂油墨组合物,包含:

由掺杂剂化合物和含硅化合物形成的掺杂剂-硅酸盐载体,其中所述掺杂剂化合物包含至少一个连接至13族元素或15族元素的烷基,和其中所述掺杂剂化合物和所述含硅化合物通过硅-氧-掺杂剂离子键连接在一起;和

至少一种溶剂。

2.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中选择溶剂以配制选自喷墨油墨、丝网印刷糊和旋涂掺杂剂的产品。

3.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂-硅酸盐载体和溶剂形成在室温下稳定至少两周的非水性混合物。

4.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂化合物为磷酸烷基酯,并具有以下分子式:

(R1O)(R2O)P(O)(OR3)

其中R1、R2和R3各自为氢或具有1至20个碳原子的烃基。

5.权利要求1的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂化合物为硼酸烷基酯,并具有以下分子式:

(R1O)B(OR2)(OR3)

其中R1、R2和R3各自为氢或具有1至20个碳原子的烃基。

6.掺杂剂油墨组合物,包含:

含有至少一个连接至15族元素的烷基的掺杂剂化合物;和

含硅化合物。

7.权利要求6的掺杂剂油墨组合物,其中所述含硅化合物具有以下分子式:

R1O(Si(OR)2O)n(M1M2SiO)mOR2

其中R、R1和R2各自为氢或具有1至10个碳原子的碳基团;和其中M1和M2各自为氢、具有1至10个碳原子的碳基团,或羟基或具有1至10个碳原子的烷氧基。

8.权利要求6的掺杂剂油墨组合物,进一步包含沸点大于200℃的第一种溶剂,和沸点大于140℃的第二种溶剂。

9.权利要求6的掺杂剂油墨组合物,其中所述掺杂剂化合物和所述含硅化合物经由硅-氧-15族元素键连接在一起。

10.用于制造在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物的方法,该包含:

提供包含至少一个连接至13族元素或15族元素的烷基的掺杂剂化合物;

提供含硅化合物;和

使掺杂剂化合物和含硅化合物混合,以及形成包括硅-氧-掺杂剂离子键的掺杂剂-硅酸盐载体。

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