[发明专利]光可聚合不饱和树脂,含有该光可聚合不饱和树脂的光敏树脂组合物,以及由此制备的光屏蔽间隔和液晶显示器件在审

专利信息
申请号: 201280052030.6 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN103890659A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 崔庆植;柳善;朴京在;朴仟顺;李学周;尹炫珍 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/028;C08F283/10;C08G59/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆蔚
地址: 韩国忠*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 聚合 不饱和树脂 含有 光敏 树脂 组合 以及 由此 制备 屏蔽 间隔 液晶显示 器件
【说明书】:

发明领域

本发明涉及新的光可聚合的不饱和树脂,含有该光可聚合不饱和树脂的光敏树脂组合物,以及由此形成的光屏蔽间隔和液晶显示器件。

发明背景

液晶显示(LCD)器件,作为一种平板显示器件,目前被广泛应用,其包括在其上形成像素电极的薄膜晶体管(TFT)基材;在其上形成共用电极且面对TFT基材的滤色器基材;以及在TFT基材和滤色器基材间插入的液晶层。这样的LCD器件通过采用对像素电极和共用电极施加电压和重排液晶层的液晶分子控制液晶层的透光量的方法来显示图像。

使得间隔使用最大化的显示器,由于具有低功率消耗、轻量和薄厚度而便于携带,由于消费模式变得更多变而使得需要高质量的屏幕。因此,已经进行了各种尝试以进一步减少显示器厚度。作为一个成果,已经提出了在TFT结构中直接形成滤色器层的技术,代替了单独制造TFT下层基材和着色的上层基材,然后层压所述基材的常规技术。

在TFT结构中直接形成滤色器层的新技术中,通常采用光刻法从光敏组合物来形成间隔。该间隔必须具有光屏蔽性质,以防止作为开关器件的TFT由于入射光而失灵。为了制备这样的光屏蔽间隔,建议将炭黑与光敏树脂组合物混合。不过,当从含有炭黑的光敏树脂组合物制备间隔时,仍有一个问题,即当电场施加到上层和下层基材时,由于炭黑的高介电常数,会产生导电变形现象。因此,需要开发一种具有优异的光屏蔽性质且介电常数低的间隔。

此外,在制备光屏蔽间隔过程中使用的光敏树脂组合物通常是黑色组合物,其通过将具有不同颜色的颜料或不同种类的颜料混合来制备,其中所述颜料不易于溶解在显影液中。由于在显影液中的低溶解性,这些颜料的显影性不佳,需花费很长的时间来显影,或者不能得到所需的分辨率。具体的,形成彩色的独立点间隔图案情况下,分辨率的重要性进一步增加。

此外,由于在间隔的主间隔和副间隔之间存在高度差,应控制曝光能量,因此根据位置的完整间隔的高度应处于某个比例,且该间隔还应该具有一些物理性质,如弹性回复率,以保持对上层基材的耐压性。

韩国专利申请公开第2010-0066197号公开了一种黑色光敏树脂组合物,其具有良好的图案成形性,且具有高压缩位移和高回复率,同时当形成薄膜时具有低介电常数和优异的光密度。不过,所述文献并没有考虑该组合物形成的薄膜的分辨率,而且考虑到合适的回复率为70%,其并不能满足相关工业所需的回复率水平。

日本专利申请公开第2002-040440号公开了一种辐射敏感的组合物,其可以形成具有优异光屏蔽性质、高机械强度和耐热性的间隔,其在板密封时不会不可逆转地变形,且不会由于液晶层的带隙差而产生显示缺陷。不过,该文献没有考虑由该组合物形成的间隔的介电常数或分辨率。

现有技术的文献

专利文献

(专利文献1)韩国专利申请公开第2010-0066197号

(专利文献2)日本专利申请公开第2002-040440号

发明内容

技术问题

本发明的第一方面提供了一种具有新结构的光可聚合的不饱和树脂,其可包含在光敏树脂组合物中。

本发明的第二方面提供一种包含新的光可聚合的不饱和树脂的光敏树脂组合物,由于在曝光前和曝光后其在显影液中足够的溶解性,其可形成10-100μm尺寸的点间隔图案,且当降低形成的点间隔图案的介电常数时,其可保持优异的光屏蔽性质。

本发明的第三方面提供一种光屏蔽间隔,其由光敏树脂组合物形成,且具有足够的分辨率和优异的弹性回复比。

本发明的第四方面提供一种具有光屏蔽间隔的液晶显示器件。

技术方案

本发明的一方面提供一种光可聚合的不饱和树脂,该不饱和树脂是通过将由式I所示的环氧树脂(A)与不饱和基础酸(basic acid)(B)反应形成环氧加合物(AB),再将所述加合物与多元酸酐(C)反应得到的产物(P1);或者该不饱和树脂是通过将由式I所示的环氧树脂(A)与不饱和基础酸(B)反应形成环氧加合物(AB),再将所述加合物与多元酸酐(C)反应得到产物(P1),再将所述产物(P1)与单官能或多官能环氧化合物(D)反应得到的产物(P2)。

式I

其中,标记了*的碳被选自下组基团的一个标记了*的碳替代:

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