[发明专利]单差分变压器核

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

初级线圈；

第一次级线圈，所述第一次级线圈与所述初级线圈形成第一变压器；以及

第二次级线圈，所述第二次级线圈与所述初级线圈形成第二变压器，其中所述初级线圈、所述第一次级线圈和所述第二次级线圈在所述集成电路上具有使所述第一次级线圈和所述第二次级线圈之间的耦合最小化的布局。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，在所述初级线圈和所述第一次级线圈之间发生第一耦合以形成所述第一变压器，并且其中在所述初级线圈和所述第二次级线圈之间发生第二耦合以形成所述第二变压器。

3.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述初级线圈、所述第一次级线圈和所述第二次级线圈是电感器。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器形成单差分变压器核。

5.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述单差分变压器核在低噪放大器中使用。

6.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述单差分变压器核在功率放大器中使用。

7.如权利要求4所述的集成电路，其特征在于，所述单差分变压器核与2分频加载电路一起用于形成压控振荡器。

8.如权利要求7所述的集成电路，其特征在于，所述压控振荡器包括：

耦合在所述第一次级线圈和所述初级线圈之间的第一晶体管；以及

耦合在所述第二次级线圈和所述初级线圈之间的第二晶体管。

9.如权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述初级线圈耦合在所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极之间，其中所述第一次级线圈耦合在所述第一晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间，并且其中所述第二次级线圈耦合在所述第二晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间。

10.如权利要求9所述的集成电路，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器生成为所需频率两倍的频率，并且其中所述2分频加载电路以所述所需频率输出第一差分输出，并以所述所需频率输出第二差分输出。

11.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括第三次级线圈，其中所述第三次级线圈和所述第二次级线圈形成第三变压器。

12.一种用于形成单差分变压器核的方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一线圈和第二线圈之间提供第一耦合以形成第一变压器；

在所述第二线圈和第三线圈之间提供第二耦合以形成第二变压器；以及

使用所述第一变压器和所述第二变压器来形成单差分变压器核，其中所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈在集成电路上具有使所述第一线圈和所述第三线圈之间的耦合最小化的布局。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈是电感器。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一变压器和所述第二变压器形成单差分变压器核。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述单差分变压器核在低噪放大器中使用。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述单差分变压器核在功率放大器中使用。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述单差分变压器核与2分频加载电路一起用于形成压控振荡器。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述压控振荡器包括：

耦合在所述第一线圈和所述第二线圈之间的第一晶体管；以及

耦合在所述第二线圈和所述第三线圈之间的第二晶体管。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述第二线圈耦合在所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极之间，其中所述第一线圈耦合在所述第一晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间，并且其中所述第三线圈耦合在所述第二晶体管的漏极和所述2分频加载电路之间。