[发明专利]薄半导体芯片封装

权利要求书

1. 一种半导体装置，由以下项组成：

半导体芯片，其由第一和第二基本平面的相对侧组成，每侧具有对应面积；以及

从所述芯片的第一侧延伸的多个形貌，每个形貌具有高度和横截面形状以及顶部表面面积，所述多个形貌越过所述芯片的第一侧分布并相互间隔开以限定其间的间隔，每个形貌的顶部表面面积占据所述第一侧的平面面积的对应分数部分，所述形貌的顶部表面面积的总和小于所述第一侧的平面面积的大约百分之五十，在均匀分布的形貌之间的间隔延伸越过第一面积并提供沿所述芯片的第一侧的气体通道。

2. 如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

玻璃层，其被粘结靠着所述芯片的第一侧并被粘结到所述形貌以使得所述形貌被嵌入到所述玻璃中。

3. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述芯片的第二侧由至少一个电气电路组成。

4. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述芯片的第二侧由至少一个压阻桥组成。

5. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌和间隔被配置为提供多个气体通道，所述多个气体通道被配置为在将玻璃粘结到所述芯片之前促进气体从玻璃层和所述芯片之间通行。

6. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述玻璃基本上没有位于所述玻璃和所述芯片的第一侧之间的空隙。

7. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌是通过以下项中的至少一项所形成的柱：硅的活性离子刻蚀、硅的化学刻蚀，以及通过以下项中的至少一项所形成的材料：等离子体增强化学气相沉积和硅的热氧化。

8. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌具有小于约两微米的平均高度。

9. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌的顶部表面面积占据所述第一侧的平面面积的部分小于约百分之五十。

10. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述芯片具有小于约五十微米的厚度。

11. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述芯片是硅的单晶体。

12. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌由硅组成。

13. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌由被形成到所述芯片的第一侧上的电介质组成。

14. 一种半导体装置，由以下项组成：

薄半导体芯片，其由第一和第二侧、以及多个柱组成，所述多个柱均匀分布越过所述芯片的第一侧并从所述芯片的第一侧延伸并基本上正交于所述芯片的第一侧，每个柱的顶部表面面积占据所述第一侧的平面面积的分数部分，所述柱的顶部表面面积的总和占据所述第一侧的平面面积的小于大约百分之五十，在均匀分布的形貌之间的间隔延伸越过所述第一面积，所述芯片的第二侧由嵌入其中的至少一个压阻桥组成；

具有第一和第二侧的玻璃层，所述第一侧粘结靠着所述芯片的第一侧并粘结到所述柱以使得所述柱被嵌入到所述玻璃中；以及

粘结到所述玻璃层的第二侧的衬底层。

15. 如权利要求14所述的半导体装置，其中，所述薄半导体芯片具有小于约三十微米的厚度。

16. 如权利要求14所述的半导体装置，其中，所述玻璃层由低熔点玻璃烧料组成。

17. 如权利要求14所述的半导体装置，其中，所述衬底层由以下项中的至少一项组成：金属、陶瓷、玻璃以及硅。

18. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述形貌适于接合玻璃烧料并适于允许在所述芯片和所述烧料之间的气体在玻璃烧制过程期间逃逸穿过由所述形貌形成的通道。

19. 一种形成半导体设备的方法，所述方法包括：

将玻璃烧料印刷到衬底上；

加热所述玻璃烧料和衬底以预釉化所述玻璃烧料；

将半导体芯片放置到预釉化的玻璃烧料上；以及

将所述玻璃烧料和衬底加热至所述玻璃烧料的熔化温度；并维持所述温度直至所述半导体芯片变得被嵌入在熔化的玻璃烧料中。

20. 如权利要求19所述的方法，还包括步骤：

在将所述半导体芯片放置到预釉化的玻璃烧料上的步骤之前，在所述半导体芯片的第一表面上形成多个形貌。