[发明专利]薄膜晶体管和图像显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，在具有透光性的绝缘基板上，由具有透光性的材料至少形成栅极电极、电容器电极、栅极绝缘层、半导体层、源电极和漏电极，其特征在于，

所述栅极电极和所述电容器电极、或者所述源电极和所述漏电极由与所述绝缘基板相接的第一层以及与所述栅极绝缘层相接的第二层构成，

所述第一层是氧化铟锡，

所述第二层是包含铟、镓以及锌的金属氧化物。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二层是与所述半导体层相同的材料。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极电极和所述电容器电极、或者所述源电极和所述漏电极在可见光范围内的平均透过率为70％以上。

4.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层是包含铟、镓和锌中的至少一种的金属氧化物。

5.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层是包含通过CVD法形成的氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的任一种的化合物。

6.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管是底栅极式TFT。

7.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管是顶栅极式TFT。

8.一种图像显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1至7中任一项所述的薄膜晶体管的阵列；

像素电极，其与所述薄膜晶体管的阵列的源电极或漏电极连接；以及

图像显示介质，其被配置在所述像素电极上。

9.如权利要求8所述的图像显示装置，其特征在于，在所述薄膜晶体管的阵列的绝缘基板上形成滤色器。