[发明专利]纳米复合正型光敏性组合物及其用途无效
申请号: | 201280052881.0 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103907058A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 卢炳宏;陈春伟;S·梅耶 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料美国公司 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/027;G03F7/038;G03F7/40;G03F7/039 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 宓霞 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 复合 光敏 组合 及其 用途 | ||
1.正型光敏性组合物,其包含正型光致抗蚀剂组合物和具有等于或小于100纳米的平均粒子直径的无机胶体颗粒材料。
2.根据权利要求1的正型光敏性组合物,用于形成光敏涂膜,包含正型光致抗蚀剂组合物和具有等于或小于100纳米的平均粒子直径的无机胶体颗粒材料,其中所述光敏涂膜的厚度小于5μm。
3.根据权利要求1或2的正型光敏性组合物,其中所述正型光致抗蚀剂组合物是(1)包含如下组分的组合物:(i)具有酸不稳定基团的成膜树脂,和(ii)光酸产生剂。
4.根据权利要求1-3中任一项的正型光敏性组合物,其中所述正型光致抗蚀剂组合物是(2)包含如下组分的组合物:(i)成膜酚醛清漆树脂,和(ii)光活性化合物。
5.根据权利要求1-4中任一项的正型光致抗蚀剂组合物,其中所述正型光致抗蚀剂组合物是(3)包含如下组分的组合物:(i)成膜树脂,(ii)光酸产生剂和(iii)溶解抑制剂。
6.根据权利要求2-5中任一项的正型光敏性组合物,其中所述膜具有小于4μm的厚度。
7.根据权利要求2-6中任一项的正型光敏性组合物,其中所述膜具有小于3μm的厚度。
8.根据权利要求2-7中任一项的正型光敏性组合物,其中所述膜具有小于2μm的厚度。
9.根据权利要求1-8中任一项的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料选自胶体氧化硅、胶体铜和胶体TiO2。
10.根据权利要求1-9中任一项的正型光敏性组合物,其中所述无机胶体颗粒材料是SiO2。
11.根据权利要求10的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料是SiO2并具有大约5-大约100纳米的平均粒子尺寸。
12.根据权利要求1-11中任一项的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料具有大约10-大约15纳米的平均粒子尺寸。
13.根据权利要求1-12中任一项的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料按所述光敏性组合物的大约0.1重量%-大约90重量%的量存在。
14.根据权利要求13的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料按所述光敏性组合物的大约5重量%-大约75重量%的量存在。
15.根据权利要求14的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料按所述光致抗蚀剂的大约10重量%-大约50重量%的量存在。
16.根据权利要求15的正型光敏性组合物,其中所述无机颗粒材料按所述光致抗蚀剂的大约10重量%-大约30重量%的量存在。
17.在基材上形成正型光致抗蚀剂图像的方法,包括以下步骤:
a)在基材上涂覆权利要求1-16中任一项的光致抗蚀剂组合物,从而形成厚度小于5微米的光致抗蚀剂涂膜;
b)将所述经涂覆基材在辐射下成像式曝光;
c)将经曝光基材显影以形成光致抗蚀剂图像;和
d)用包含氯的气体蚀刻所述基材,从而形成经粗糙化的基材。
18.根据权利要求17的方法,其中所述基材选自蓝宝石、SiC和GaN。
19.权利要求1-16中任一项的正型光敏性组合物用于在基材上形成正型光致抗蚀剂图像的用途。
20.根据权利要求19的用途,其中所述基材选自蓝宝石、SiC和GaN。
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