[发明专利]制造ZnMgO膜的方法无效

专利信息
申请号: 201280053151.2 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103890230A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 前川谅介;粟野宏基;松永朋也;武田雄一郎;酒井武信 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 王程;黎艳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 znmgo 方法
【权利要求书】:

1.制造ZnMgO薄膜的方法,该方法包括以下步骤:

将锌材料和镁材料溶解在氨水溶液中,所述氨水溶液具有这样的温度:在该温度时,在纵轴表示锌离子浓度和镁离子浓度、横轴表示pH值的水溶液状态图中,由产生Zn(OH)2沉淀的区域和ZnO22-能够存在的区域所界定的线α位于比由镁离子能够存在的区域和产生Mg(OH)2沉淀的区域所界定的线β更低的pH值侧,以及,调节所述氨水溶液的pH值以及所述氨水溶液内的锌离子浓度和镁离子浓度,以获得位于线α和线β之间的区域内的状态;

在调节了所述pH值和所述离子浓度后,使所述氨水溶液的温度升高至一温度,在该温度时产生Zn(OH)2和Mg(OH)2沉淀;以及

在所述氨水溶液的温度升高后,灼烧沉淀物。

2.根据权利要求1所述的ZnMgO薄膜的制造方法,其中,所述线α位于比所述线β更低的pH值侧时的温度是至多25°C。

3.根据权利要求1或2所述的ZnMgO薄膜的制造方法,其中,产生Zn(OH)2和Mg(OH)2沉淀时的温度是至少25°C、至多80°C。

4.ZnMgO薄膜,其(100)X射线衍射强度与(002)X射线衍射强度之比至少为1/2,且其(101)X射线衍射强度与(002)X射线衍射强度之比至少为1/2。

5.ZnMgO薄膜,其由如权利要求1到3中任一项所述的制造方法制造。

6.根据权利要求5所述的ZnMgO薄膜,其中,所述薄膜的(100)X射线衍射强度与(002)X射线衍射强度之比至少为1/2,且其(101)X射线衍射强度与(002)X射线衍射强度之比至少为1/2。

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