[发明专利]酚类单体、含有该酚类单体的用于形成抗蚀剂下层膜的聚合物以及含有该聚合物的用于制备抗蚀剂下层膜的组合物

权利要求书

1.一种以下结构式1表示的酚类单体：

[结构式1]

其中，R₁、R₂、R₃和R₄分别是氢原子，或者带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团；

A是具有4～20个碳原子的单环或多环的芳香烃基团；

X是氧原子(O)或硫原子(S)；以及

Y是单键、亚甲基(CH₂-)、氧原子(O)、硫原子(S)、氨基(-NH-)或两个单独的氢原子，

其中，A、R₁、R₂、R₃和R₄都能被带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团取代；以及，要么R₁和R₂，要么R₃和R₄彼此独立连接，形成环状。

2.一种含有以下结构式2表示的重复单元的用于制备抗蚀剂下层的聚合物：

[结构式2]

其中，R₁、R₂、R₃和R₄分别是氢原子，或者带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团；

A是具有4～20个碳原子的单环或多环的芳香烃基团；

X是氧原子(O)或硫原子(S)；以及

Y是单键、亚甲基(CH₂-)、氧原子(O)、硫原子(S)、氨基(-NH-)或两个单独的氢原子，

其中，A、R₁、R₂、R₃和R₄都能被带有或不带有杂原子的具有1～20个碳原子的直链状、支链状、单环或多环的饱和或不饱和碳氢基团取代；以及，要么R₁和R₂，要么R₃和R₄彼此独立连接，形成环状。

3.如权利要求2所述的聚合物，其中含有结构式2表示的重复单元的用来制备抗蚀剂下层的聚合物选自由含有以下结构式2a～2q表示的重复单元的聚合物构成的组。

[结构式2a]

[结构式2b]

[结构式2c]

[结构式2d]

[结构式2e]

[结构式2f]

[结构式2g]

[结构式2h]

[结构式2i]

[结构式2j]

[结构式2k]

[结构式2l]

[结构式2m]

[结构式2n]

[结构式2o]

[结构式2p]

[结构式2q]

4.如权利要求2所述的聚合物，其中用于制备抗蚀剂下层的所述聚合物的平均分子量Mw为500～20000。